| 主权项 |
1. 一种利用磁化反转之磁性记录媒体,其在基体之表面上至少有着由Cr构成之金属底层配设由Co合金所构成之强磁化金属层,而且该金属底层或/及该强磁生金属层之氧气浓度为100 wtppm以下,其特征在于在该基体及该金属底层之间设置至少由镍(Ni)及磷(P)之金属氧化物所构成之-富含层以及至少具有酯基之-富含层。2.如申请专利范围第1项磁性记录媒体,其中,该磁性记录媒体之层构造为:基体/-富含层/-富含层/金属底层/强磁性金属层为其特征者。3. 一种磁性记录媒体其在基体的表面上至少配置由Co合金所构成之强磁性金属层;而且该强磁性金属层之氧气浓度在100 wtppm以下,其特征在于在该基体和该强磁性金属层之间设置至少由镍(Ni)及磷(P)之金属或氧化物所构成之-富含层以及至少具有酯基之-富含层。4.如申请专利范围第3项磁性记录媒体,其特征在于该磁性记录媒体之构成为基体/-富含层/-富含层/强磁性金属层。5. 如申请专利范围第1或第3项磁性记录媒体,其特征在于前述-富含层之膜厚t和前述-富含层之膜厚t之和在3nm<(t+t)<12nm之间者。6. 如申请专利范围第1或第3项磁性记录媒体,其特征在于前述-富含层之膜厚t前述-富含层之膜厚t之比为在0<(t+t)<1之间者。7. 如申请专利范围第1或第3项磁性记录媒体,其特征在于前述具有酯基之-富含层具有比形成前述金属底层及前述强磁性金属层时之基体温度之熔点有机分子者。8. 一种制造如申请专利范围第1或第3项磁性记录媒体之方法,其特征在于形成前述-富含层、-富含层;前述金属底层及前述强磁性金属层之成膜室之到达真空度为约10@su-@su9Torr以下者。9. 如申请专利范围第8项之制造方法,其特征在于制作前述金属底层及/或前述强磁性金属层时之前述基体之温度较形成前述-富含层之有机分子之熔点为低者。图示简单说明:第1图为说明本发明之磁性记录媒体之概略图。第2图对在实施例1之条件3之磁性记录媒体在层积薄膜之剖面方向作之组成分析结果。第3图为第2图中-富含层和-富含层层积附近之放大图。第4图为对实施例1之条件之磁性记录媒体在所层积之薄膜之剖面方向之组成分析剖面图;第5图为对实施例1之条件1之磁性记录媒体在所层积之薄膜之剖面方向之组成分析图;第6图为测定第3图所示之-富含层之Ni(2P3/2)及P(2P)之折射强度之结果之图。第7图为测定第3图所示之-富含层之C(ls)之折射强度之结果之图。第8图为使用薄膜X光折射法对实施例1之条件1-4之磁性记录媒体作检查之结果之图。第9图为表示实施例2之-富含层之膜厚t与-富含层之膜厚t之和;亦即(t+t)与所制出之媒体之保磁力之关系之图;第10图为表示实施例3之-富含层之膜厚t与-富含层之膜t之比,亦即(t/t)与所制出之媒体之保磁力之关系之图。 |
