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1. 一种具有高电容値之堆叠式电容器的动态随机 存取记 忆体的制作方法,系包含: 在一个半导体基板上选择性地形成厚场氧化物区 域,留下 待制作场效元件的元件区域; 在所述元件区域的基板上形成一层闸极介电层; 在所述场氧化区域所述元区域上沉积一层第一复 晶矽厚层 ,除去部分的第一复晶矽厚层,留下部份在所述元 件区域 作为闸极,部份在所述场氧化物区域; 在所述元件区域闸极两旁的半导体基板形成源/汲 极结构 ; 在所述元件及场氧化物区域形成一层第一绝缘层, 并制定 源极接触窗的图案,预定和电容器下层电极作电性 接触; 在所述元件及场氧化物区域上沉积一层第二复晶 矽层; 在所述元件及场氧化物区域上沉积一层第二绝缘 层,并利 用电浆蚀刻技术垂直单向性地在电容器区域制定 所述第二 绝缘层与所述第二复晶矽层的图案; 利用电浆蚀刻技术,以所述第二绝缘层为蚀刻保护 罩,侧 向蚀去部份所述第二复晶矽层; 沉积一层薄的第三复晶矽层,并利用电浆蚀刻技术 垂直单 向性地对所述第三复晶矽层进行蚀刻,蚀去电容器 区域以 外部份的所述第三复晶矽层,并旋即用蚀刻液法除 剩余之 所述第二绝缘层,所述第二复晶矽层和第三复晶矽 层在电 容器区域之剩余部份则构成了电容器的下层电极; 在所述电容器之下层电极上形成一层电容器介电 层,沈积 第四复晶矽层,并加以图案化作为堆叠式电容器的 上层电 极。2. 如申请专利范围第1项之方法,其中所述第 一复晶矽层 的厚度介于1500到3000埃之间。3. 如申请专利范围 第1项之方法,其中所述第一绝缘层系 为二氧化矽和氮化矽的组合层,其总厚度约在600到 1500 埃之间。4. 如申请专利范围第1项之方法,其中所 述第二复晶矽层 的厚度介于2000到6000埃之间。5. 如申请专利范围 第1项之方法,其中所述第二绝缘层的 厚度介于300到1000埃之间。6. 如申请专利范围第1 项之方法,其中所述第三复晶矽层 的厚度介于500到1000埃之间。7. 如申请专利范围第 1项之方法,其中所述电容器介电层 系由二氧化矽、氮化矽及二氧化矽等层组成。8. 如申请专利范围第1项之方法,其中所述第四复晶 矽层 的厚度介于800到2000埃之间。图示简单说明: 图1到11为本发明实施例的横截面示意图。 图1是完成MOS场效电晶体后的制程剖面图; 图2是完成第一绝缘层沈积后的制程剖面图; 图3是完成第一绝缘层之源极接触窗的图案制定后 的制程 剖面图; 图4是完成沉积第二复晶矽层与第二绝缘层后的制 程剖面 图; 图5利用电浆蚀刻技术垂直单向性地在电容器区域 制定所 述第二绝缘层与第二复晶矽层的图案后的制程剖 面图; 图6是利电浆蚀刻技术,以所述第二绝缘层为蚀刻 保护罩 ,侧向蚀去部份所述第二复晶矽层后的制程剖面图 ; 图7是完成一层薄的第三复晶矽层沈积后的制程剖 面图; 图8是利用电浆蚀刻技术垂直单向性地对所述第三 复晶矽 层进行蚀刻后的制程剖面图; 图9是利用化学溶液去除所述第二绝缘层之剩余部 份后的 制程剖面图; 图10是完成第三绝缘层的沈积后的制程剖面图; 图11是利用电浆蚀刻技术制定所述第三绝缘层与 第四复晶 |
