| 发明名称 |
STRUCTURE OF HIGH-VOLTAGE MOSFET, AND PROCESS FOR ITS MANUFACTURE |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
JPH08255913(A) |
申请公布日期 |
1996.10.01 |
| 申请号 |
JP19960033939 |
申请日期 |
1996.02.21 |
| 申请人 |
SGS THOMSON MICROELETTRONICA SPA |
发明人 |
RITSUKARUDO DE PETORO;PAORA GARUBIATEI;MIKEERE PARUMIEERI;KURAUDEIO KONTEIERO |
| 分类号 |
H01L21/336;H01L29/06;H01L29/08;H01L29/40;H01L29/417;H01L29/423;H01L29/78;(IPC1-7):H01L29/78 |
主分类号 |
H01L21/336 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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