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SE DESCRIBE UNA ESTRUCTURA DE CIRCUITO INTEGRADO SEMICONDUCTOR Y UN METODO DE FABRICACION. LA ESTRUCTURA INCLUYE UNA PUERTA FET (POR EJEMPLO, 18) CON ESPACIADORES DE PUERTA DE DOBLE O TRIPLE CAPA ADYACENTES (POR EJEMPLO, 21,23,19). LOS ESPACIADORES PERMITEN EL CORTE PRECISO DE LOS PERFILES DE UNION DE CANALES LIGERAMENTE BARNIZADOS QUE TIENEN PORCIONES DE UNION PROFUNDAS Y SUPERFICIALES. ADE,AS, PUEDE FORMARSE UN SILICIDO AUTO-ALINEADO (POR EJEMPLO, 51) SOLAMENTE SOBRE LA PORCION DE UNION PROFUNDA PRODUCIENDO ASI UNA CONEXION DE RESISTENCIA DE BAJO CONTACTO SEGURA PARA FUENTE Y CANAL.
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