发明名称 PRECISELY CONTROLLED DEPOSITION OF OXYGEN IN SILICON
摘要
申请公布号 JPH08253392(A) 申请公布日期 1996.10.01
申请号 JP19960056054 申请日期 1996.03.13
申请人 M II M C ELECTRON MATERIALS INC 发明人 ROBAATO FUORUSUTAA
分类号 C30B29/06;C30B33/00;C30B33/02;H01L21/322;(IPC1-7):C30B29/06 主分类号 C30B29/06
代理机构 代理人
主权项
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