| 发明名称 |
TRENCH TYPE MOSFET PROVIDED WITH HIGH BREAK-DOWN VOLTAGE AND LOW ON-RESISTANCE BOTH |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
JPH08250731(A) |
申请公布日期 |
1996.09.27 |
| 申请号 |
JP19950351586 |
申请日期 |
1995.12.26 |
| 申请人 |
SILICONIX INC |
发明人 |
MOHAMETSUDO ENU DAAUITSUSHIYU;RICHIYAADO KEI UIRIAMUZU |
| 分类号 |
H01L29/08;H01L29/78;(IPC1-7):H01L29/78 |
主分类号 |
H01L29/08 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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