FIELD-EFFECT TRANSISTOR AND MANUFACTURE THEREOF,申请号JP19950055375-传众专利搜索

发明名称	FIELD-EFFECT TRANSISTOR AND MANUFACTURE THEREOF
摘要
申请公布号	JPH08250712(A)	申请公布日期	1996.09.27
申请号	JP19950055375	申请日期	1995.03.15
申请人	NEC CORP	发明人	FURUHATA NAOKI
分类号	H01L29/812;H01L21/338;H01L29/778;(IPC1-7):H01L29/778	主分类号	H01L29/812
代理机构		代理人
主权项
地址