发明名称 THERMAL DEPOSITION METHOD FOR DEPOSITING THIN CERAMIC LAYERS AND AN ASSOCIATED DEVICE
摘要 <p>Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Beschichten eines Grundkörpers mit einer plasmagespritzten Schicht mittels eines im Plasma aufgeschmolzenen Spritzpulvers, bei dem das Spritzpulver über Pulverzuführungen im Bereich der Neutrode/Neutroden, im Bereich der Anode/Anoden oder dazwischen in einen Kanal eines Plasmaspritzgeräts eingebracht wird, bei dem mindestens ein Lichtbogen eine Länge von mindestens 20 mm mindestens zeitweilig aufweist und bei dem der Grundkörper ein sogenanntes Endlosband ist oder ein grossflächiges Format von mindestens 0,005 m<2>. Die Erfindung betrifft ferner eine Vorrichtung zum Beschichten eines Grundkörpers, die mehrere Plasmaspritzgeräte und mindestens eine Lärmschutzkabine enthält, bei der die Plasmaspritzgeräte jeweils mindestens eine Neutrode und mindestens eine Anode zur Erzeugung eines Lichtbogens von mindestens 20 mm Länge und zur Erhitzung eines Spritzpulvers aufweisen, bei der das Spritzpulver im Bereich der Anode/Anoden oder/und im Bereich der Neutrode/Neutroden oder/und dazwischen zugeführt wird und bei der die Vorrichtung eine Einrichtung zum Mikroaufrauhen des Grundkörpers enthält, die eine Einrichtung zur mechanischen, physikalischen oder strahlenden Mikroaufrauhung ist.</p>
申请公布号 WO9629443(A1) 申请公布日期 1996.09.26
申请号 WO1996EP01118 申请日期 1996.03.15
申请人 HOECHST AKTIENGESELLSCHAFT;KUEHN, HEINRICH;ESCHER, CLAUS;LANDES, KLAUS;HASLBECK, PETER;GASCHLER, OTFRIED;MUELLER, MARKUS;MUNTWYLER, PETER 发明人 KUEHN, HEINRICH;ESCHER, CLAUS;LANDES, KLAUS;HASLBECK, PETER;GASCHLER, OTFRIED;MUELLER, MARKUS;MUNTWYLER, PETER
分类号 B05B7/22;B22D23/00;B41N1/00;B41N3/03;B41N7/04;C23C4/00;C23C4/02;C23C4/10;C23C4/12;F24J2/48;H05H1/42;(IPC1-7):C23C4/12 主分类号 B05B7/22
代理机构 代理人
主权项
地址