Feldeffekttransistorstruktur mit einem schwebenden Gate und Verfahren zu ihrer Herstellung,申请号DE19916017796T-传众专利搜索

发明名称	Feldeffekttransistorstruktur mit einem schwebenden Gate und Verfahren zu ihrer Herstellung
摘要
申请公布号	DE69117796(T2)	申请公布日期	1996.09.26
申请号	DE19916017796T	申请日期	1991.05.06
申请人	PHILIPS ELECTRONICS N.V., EINDHOVEN, NL	发明人	CHEN, TEH YI JAMES, NL-5656 AA EINDHOVEN, NL
分类号	H01L21/318;H01L21/28;H01L21/8247;H01L27/115;H01L29/51;H01L29/788;H01L29/792;(IPC1-7):H01L29/51	主分类号	H01L21/318
代理机构		代理人
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