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发明名称 Halbleitereinrichtung mit MOS-Feldeffekttransistor und Herstellungsverfahren hierfür
摘要
申请公布号 DE4200753(C2) 申请公布日期 1996.09.26
申请号 DE19924200753 申请日期 1992.01.14
申请人 MITSUBISHI DENKI K.K., TOKIO/TOKYO, JP 发明人 KIMURA, HIROSHI, ITAMI, HYOGO, JP
分类号 H01L21/336;H01L29/08;H01L29/36;(IPC1-7):H01L29/78 主分类号 H01L21/336
代理机构 代理人
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