Method of fabricating a CMOS structure having ESD protection

摘要

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen einer CMOS-Struktur mit ESD-Schutz. Auf die Außentransistoren wird eine Schutz-Oxidschicht 13 aufgebracht, die so maskiert ist, daß die an die Feldoxid-Bereiche 6 und die Gatebereiche 8 angrenzenden Gebiete der jeweiligen Source- und Drain-Bereiche 10, 11 abgedeckt sind, die Schutzoxidschicht 13 einer Wärmebehandlung ausgesetzt wird und danach eine Silizierung stattfindet.