光电元件及其制造方法

摘要

一种有高释出电压的光电元件，它能抑制载流子从上电极注入处于发生层的最上层处的p-半导体中。按本发明的光电元件、其中，用“n”表示的n-型半导体层。用“i”表示的i-型半导体层和用“p”表示的p-型层依次叠置于衬底上，构成包含nip结的结构，发生层包括至少一个所设置的这种结构上电极放在位于发生层最上表面上的p-型层上构成光电元件，其特征是位于发生层的最上表面上的p-型层由与i-层连接的含晶第一p-层和与上电极连接的非晶的第二p-层构成。

主权项

1.一种光电元件，其结构包括用导电粘接剂涂覆的电极，它通过所述导电粘接剂设置在光电半导体层上，其特征是，所述导电粘接剂层至少由两层构成，构成较靠近电极的一层的导电粘接剂的软化点，高于所述光电元件热处理过程中的最高温度。