| 主权项 |
1. 一种非均匀闸极介电层之记忆单元结构,包括:一半导体基底,具有绝缘结构于其上,并于该等绝缘结构间定义出主动区;一闸极介电层,设置于该主动区范围内之该基底上,该闸极介电层包括不同厚度之一第一介电层和一第二介电层;一闸极电极,设置于该闸极介电层上;通道区,设置于该闸极介电层下方之该基底内,并根据该第一介电层和该第二介电层的相对位置分属一第一通道区和一第二通道区;以及源/汲极区,分设于该通道区两端之该基底内。2.如申请专利范围第1项所述之该非均匀闸极介电层之记忆单元结构,其中,该闸极介电层系沿与载子传导方向成垂直,而区分为该等第一和第二介电层。3. 如申请专利范围第1项所述之该非均匀闸极介电层之记忆单元结构,其中,该闸极介电层系沿与载子传导方向成平行,而区分为该等第一和第二介电层。4. 如申请专利范围第1项所述之该非均匀闸极介电层之记忆单元结构,尚包括:一编码罩幕,选择自覆盖该第一通道区、覆盖该第二通道区、同时覆盖该等第一和第二通道区和不覆盖该等第一和第二通道区中之一者的方式,设置于该非均匀闸极介电层之记忆单元结构上;以及施以离子布植程序。5. 如申请专利范围第4项所述之该非均匀闸极介电层之记忆单元结构,其中,该基底与该布植离子同属P型。6. 如申请专利范围第4项所述之该非均匀闸极介电层之记忆单元结构,其中,该基底与该布植离子同属N型。7. 如申请专利范围第4项所述之该非均匀闸极介电层之记忆单元结构,其中,该基底系属P型,该布植离子系属N型。8. 如申请专利范围第4项所述之该非均匀闸极介电层之记忆单元结构,其中,该基底系属N型,该布植离子系属P型。9. 一种非均匀闸极介电层之记忆单元结构,包括:一半导体基底,具有绝缘结构于其上,并于该等绝缘结构间定义出主动区;一闸极介电层,设置于该主动区范围内之该基底上,该闸极介电层区分成不同厚度之一第一介电层、一第二介电层…及至一最末介电层;一闸极电极,设置于该闸极介电层上;通道区,设置于该闸极介电层下方之该基底内,并根据该等第一、第二…及最末介电层的相对位置分属一第一通道区、一第二通道区…及至最末通道区;以及源/汲极区,分设于该通道区两端之该基底内。10.如申请专利范围第9项所述之该非均匀闸极介电层之记忆单元结构,其中,该闸极介电层系沿与载子传导方向成垂直,而区分为该等第一、第二…及至最末介电层。11. 如申请专利范围第9项所述之该非均匀闸极介电层之记忆单元结构,其中,该闸极介电层系沿与载子传导方向成平行,而区分为该等第一、第二…及至最末介电层。12. 如申请专利范围第9项所述之该非均匀闸极介电层之记忆单元结构,尚包括:一编码罩幕,系选择该等第一、第二…及最末介电层覆盖与否之组合,设置于该非均匀闸极介电层之记忆单元结构上;以及施以离子布植程序。13. 如申请专利范围第12项所述之该非均匀闸极介电层之记忆单元结构,其中,该基底与该布植离子同属P型。14. 如申请专利范围第12项所述之该非均匀闸极介电层之记忆单元结构,其中,该基底与该布植离子同属N型。15. 如申请专利范围第12项所述之该非均匀闸极介电层之记忆单元结构,其中,该基底系属P型,该布植离子系属N型。16. 如申请专利范围第12项所述之该非均匀闸极介电层之记忆单元结构,其中,该基底系属N型,该布植离子系属P型。图示简单说明:第1图所示为一习知唯读记忆单元的剖面图;第2图所示为根据本创作一较佳实施例的剖面图;第3图所示为根据本创作一较佳实施例的上视图;第4图所示为根据本创作另一较佳实施例的剖面图示第5图所示为根据本创作另一较佳实施例的上视图;以及第6图所示为具不同临界电压之电晶体汲极电流对闸极电 |
