| 主权项 |
1. 一种陶瓷电子零件之制法,包含未烧结陶瓷层形成步骤,第1目标记号形成步骤,及印刷步骤,上述未烧结陶瓷层形成步骤,系在机系可挠性支持体上,涂覆以陶瓷涂料以形成未烧结陶瓷层,上述第1目标记号形成步骤,系在可挠性支持体上形成第1目标记号之步骤,上述印刷步骤,系基于由第1目标记号之图像处理所得之情报,决定电极的印刷位置,在未烧结陶瓷层上印刷以电极之步骤者。2. 如申请专利范围第1项之陶瓷电子零件之制法,其中陶瓷涂料系选自介电体陶瓷材料,压电陶瓷材料,正特性陶瓷材料,负特性陶瓷材料以及电压非直线性陶瓷材料群之至少一种做为陶瓷粉体之主要成分者。3. 如申请专利范围第1项之陶瓷电子零件之制法,其中陶瓷涂料系含有5vol%-20vol%之陶瓷粉体者。4. 如申请专利范围第1项之陶瓷电子零件之制法,其中,陶瓷涂料系对陶瓷粉体含有0.05重量%-5重量%之至少一种磷酸酯型及磺酸型之界面活性剂者。5. 如申请专利范围第1项之陶瓷电子零件之制法,其中新片材形成步骤为,将印刷步骤在可挠性支持体上重覆进行者。6. 如申请专利范围第1项之陶瓷电子零件之制法,其中实行复数之新片材形成步骤及印刷步骤后,将所获得之积层新片材从可挠性支持体剥离,其次,包含有再将剥离所获得之复数积层新片材施予积层之步骤者。7. 如申请专利范围第6项之陶瓷电子零件之制法,其中印刷步骤包含在新片材上印刷第2目标记号之步骤,并基于由第2目标记号之图像处理所获得之情报,进行积层新片材之积层者。8. 如申请专利范围第7项之陶瓷电子零件之制法,其中对第1目标记号之第2目标记号之相对位置关系分割补正电极之印刷位置者。9. 如申请专利范围第1项之陶瓷电子零件之制法,其中可挠性支持体一面使用陶瓷涂料涂覆面,而陶瓷涂料涂覆面则具有经剥离处理之区域,与未经有剥离处理之区域。10. 如申请专利范围第9项之陶瓷电子零件之制法,其中未经剥离处理之区域,系设在宽度方向之两侧。11.如申请专利范围第9项之陶瓷电子零件之制法,其中可挠性支持体,在未经剥离处理区域之外侧,具有经剥离处理之区域。12. 如申请专利范围第9项之陶瓷电子零件之制法,其中,可挠性支持体体,至少在其一表面具有着色区域,上述第1目标记号具有与上述着色区域着有不同之颜色,并形成在可挠性支持体之着色区域内者。13. 如申请专利范围第12项之陶瓷电子零件之制法,其中,在着色区域之表面,不施设以剥离处理,而在着色区域上面印刷有第1目标记号者。14. 如申请专利范围第1项之陶瓷电子零件之制法,其中可挠性支持体,至少在其一表面具有着色区域,而第1目标记号则与上述着色区域具有不同之着色,并形成于可挠性支持体上面,与着色区域重叠之区域内者。15.如申请专利范围第12或14项之陶瓷电子零件之制法,其中着色区域之着色为黄色系,紫色系,淡绿色系或为白色系的任何一种,而第1目标记号为黑色系者。16. 如申请专利范围第1项之陶瓷电子零件之制法,其中第1目标记号形成步骤系包含有印刷步骤之陶瓷电子零件之制造方法。17. 一种陶瓷电子零件之制造装置,包含未烧结陶瓷层形成手段,第1目标记号形成手段,与印刷手段,未烧结陶瓷层形成手段,乃为在可挠性支持体上,涂覆以陶瓷涂料形成未烧结陶瓷层之手段,第1目标记号形成手段为,在可挠性支持体上形成第1目标记号之手段,印刷手段系基于由第1目标记号之图像处理所获得之情报,决定电极之印刷位置,在未烧结陶瓷层上加以印刷电极者。18. 如申请专利范围第17项之陶瓷电子零件制造装置,其系具有供应手段与卷取手段上述供应手段,系在其一面保持具有未烧结陶瓷层之有机质可挠性支持体,印刷手段,系从供应手段所供应之可挠性支持体的未烧结陶瓷层上印刷以电极,卷取手段,即将从供应手段经由印刷装置所供应之可挠性支持体予以卷取者。19. 如申请专利范围第17项之陶瓷电子零件制造装置,印刷手段,具有印刷用台面与台面驱动装置,印刷用台面,具设有承受可挠性支持体之印刷承受面,而印刷承受面即构成真空吸着面,台面驱动装置系驱动印刷用台面者。20. 如申请专利范围第19项之陶瓷电子零件制造装置,其中台面驱动装置系依附在印刷承受面,在假想之直交二轴所有之X方向及Y方向,与上述二轴直交轴之周围所回转之方向,驱动上述印刷用台面。21. 如申请专利范围第17项之陶瓷电子零件制造装置,其中,印刷手段包含有图像处理手段,图像处理手段,即含有复数照相机,而照相机之受光部系具设在印刷用台面者。22. 如申请专利范围第21项之陶瓷电子零件制造装置,其中,图像处理手段,系从照相机的受光部,及至于照相机之光学径路,而光学径路含有从光部之光线投射于照相机之反射镜者。23. 如申请专利范围第17项之陶瓷电子零件制造装置,其中系具备有定尺输送装置,而定尺输送装置系经由印刷手段处理后之可挠性支持体真空吸着,并加设以定尺输送者。24. 如申请专利范围第17项之陶瓷电子零件制造装置,其中,印刷手段系在新片材上印刷以第2目标记号者。25. 如申请专利范围第17项之陶瓷电子零件制造装置,上述未烧结陶瓷层形成手段,系具备有导引可挠性支持体之辊子,而辊子即完全不与可挠性支持体的印刷面接触者。26. 如申请专利范围第17项之陶瓷电子零件制造装置,其中未烧结陶瓷层形成手段系含有涂覆端头,与复数之辊子,而涂覆端头系在沿单一方向行走之可挠性支持体的一侧面涂覆以陶瓷涂料,又各该辊子系配置成可接触于可挠性支持体的陶瓷涂料涂覆面的相反面者。27. 如申请专利范围第26项之陶瓷电子零件制造装置,其中,涂覆端头乃为挤压式者。28. 如申请专利范围第27项之陶瓷电子零件制造装置,其中涂覆端头系并设有复数之喷嘴者。29. 如申请专利范围第27项之陶瓷电子零件制造装置,其中包含有定量泵及质量流量计,并由定量泵及质量流量计控制涂覆端头之涂料供应量者。30. 如申请专利范围第25或26项之陶瓷电子零件制造装置,其系对可挠性支持体外加以0.1-1.5kgf/100mm幅度之张力者。31. 如申请专利范围第17项之陶瓷电子零件制造装置,其系具有以可挠性支持体所支持之可将未乾燥之电极施加乾燥所需之乾燥装置者。32. 如申请专利范围第31项之陶瓷电子零件制造装置,其中未乾燥之电极系含有高沸点溶剂者。33. 如申请专利范围第32项之陶瓷电子零件制造装置,其中乾燥装置具有可使可挠性支持体通过之乾燥室,并将热风流入于乾燥室,使未乾燥的电极乾燥者。34. 如申请专利范围第33项之陶瓷电子零件制造装置,其中有关于乾燥室内之热风温度系设定在约45℃至约80℃之范围者。35. 如申请专利范围第33项之陶瓷电子零件制造装置,其中乾燥装置系在乾燥室具设有超红外线加热器者。图示简单说明:第1图系表示本发明陶瓷电子零件制造方法之流程图。第2图系表示本发明另一实施例陶瓷电子零件制造方法之流程图。第3图为由本发明制造方法所制造产品之陶瓷电子零件之部分断面图。第4图系表示包含在本发明陶瓷电子零件制造方法中形成新片材之步骤图式。第5图系表示包含在本发明陶瓷电子零件制造方法中形成新片材之另一实例步骤图式。第6图为第4及第5图所示步骤所用挤压式涂布端头之断面图。第7图为第4及第5图所示步骤所用挤压式涂布端头之另一个别例之断面图。第8图经由第4及第5图所示步骤所获得可挠性支持体之平面图。第9图系表示第4及第5图所示步骤所使用可挠性支持体之断面图。第10图系表示第4及第5图所示步骤所使用可挠性支持体之另一个别例之断面图。第11图系表示第4及第5图所示步骤所使用可挠性支持体之又一个别例之断面图。第12图系由第1目标记号形成步骤所获得之可挠性支持体之平面图。第13图为使用第9图所示可挠性支持体形成新片材时之部分扩大断面图。第14图为使用第10图所示可挠性支持体形成新片材时之部分扩大断面图。第15图为适用于第1目标记号形成步骤之可挠性支持体的断面图。第16图为使用第15图所示可挠性支持体形成为新片材及第1目标记号时之断面图。第17图为使用另一可挠性支持体形成新片材及第1目标记号时之断面图。第18图系使用其他之可挠性支持体形成新片材及第1目标记号时之断面图。第19图系使用他一可挠性支持体形成新片材及第1目标记号时之断面图。第20图系实施本发明陶瓷电子零件之制造方法所用图像处理印刷装置之图式。第21图系包含在第20图所示图像处理印刷装置之图像处理装置构成之概略图式。第22图系包含在第20图所示图系处理装置,其中图像处理用照相机配置图。第23图系包含在第20图所示图像处理装置,其图像处理用照相机之视野领域图。第24图系由第20图所示图像处理印刷装置经第1次电极印刷后所获得可挠性支持体表面之平面图。第25图为第24图所示可挠性支持体之侧面图。第26图为使用图像处理用照相机由图像情报对合位置之说明图。第27图系使用图像处理用照相机由图像情报对合位置补正说明图。第28图系使用图像处理用照相机由图像情报对合位置经补正后所示之状态图。第29图系使用图像处理用照相机由图像情报对合位置其中对合X轴方向位置之说明图。第30图系使用图像处理用照相机由图像情报对合位置其中对合Y轴方向位置之说明图。第31图系表示补正用照相机放置步骤图。第32图系表示乾燥装置之实施例图。第33图系表示乾燥装置之另一实施例图。第34图系第32及第33图所示乾燥装置所用热风发生装置之实施例图。第35图系由第20图所示图像处理印刷装置经第2次之电极印刷后所得可挠性支持体之平面图。第36图系第35图所示支持体的侧面图。第37图系由第20图所示图像处理装置所得其他电极例所示平面图。第38图系由第1图所示关于由本发明制造方法所得积层体之断面图。第39图系由第2图所示关于由本发明制造方法所得别种积层体的断面图。第40图系由第39图所示积层体切断步骤示意图。第41图系表示由切断步骤所得积层体之断面图。第42图系将第41图所示积层体再予以层合所示步骤图。第43图系在第42图所示积层体层合以保护层步骤之示意图。第44图表示第38图积层体切断步骤之示意图。第45图系由第44图所示切断步骤所获得积层体之断面图。第46图系从第44图或第45图所示积层体经冲压,切断所获得新芯片之斜视图;及第47图系说明电极位置不吻合量之最大値Gmax定义之图 |
