| 主权项 |
1. 一种多孔矽蓝光发光二极体之制造方法,其步骤包括:(a) 取一矽基板,于其背面镀一层导电物质;(b) 将该背面镀上导电物质之矽基板置入钝气中焠火一段时间;(c) 于该矽基板面之导电物质上一层防腐蚀剂;(d) 将该矽基板置入氢氟酸水溶液中通入适当电流做阳极蚀刻,俾得一多孔矽;(e) 将该多孔矽置入高温炉中氧化,俾得一具发蓝光特性之多孔矽。2. 如申请专利范围第1项所述之多孔矽蓝光发光二极体之制造方法,于步骤(e)之后更包括一步骤(f)以5%氢氟酸除去该多孔矽表面之氧化层,再镀上一薄层半透明金,俾得一蓝光发光二极体。3. 如申请专利范围第2项所述之多孔矽蓝光发光二极体之制造方法,该二极体之起动电压约为12 volt。4. 如申请专利范围第1项所述之多孔矽蓝光发光二极体之制造方法,步骤(a)中之导电物质系铝。5. 如申请专利范围第1项所述之多孔矽蓝光发光二极体之制造方法,步骤(b)中之钝气可以氮气为之。6. 如申请专利范围第1项所述之多孔矽蓝光发光二极体之制造方法,步骤(b)中之焠火温度为450℃。7. 如申请专利范围第1项所述之多孔矽蓝光发光二极体之制造方法,步骤(b)中之焠火时间为10分钟。8. 如申请专利范围第1项所述之多孔矽蓝光发光二极体之制造方法,步骤(c)中之防腐蚀剂可以黑蜡为之。9.如申请专利范围第1项所述之多孔矽蓝光发光二极体之制造方法,步骤(d)中之氢氟酸水溶液浓度为5%。10.如申请专利范围第1项所述之多孔矽蓝光发光二极体之制造方法,步骤(d)中之阳极蚀刻时间为20分钟。11. 如申请专利范围第1项所述之多孔矽蓝光发光二极体之制造方法,步骤(e)中之高温炉温度为1100℃。12.如申请专利范围第1项所述之多孔矽蓝光发光二极体之制造方法,步骤(e)中之高温炉氧化时间为10分钟。13. 如申请专利范围第1项所述之多孔矽蓝光发光二极体之制造方法,步骤(d)中之阳极蚀刻之电流密度为2.5mA/cm@su2。图示简单说明:第一图:系矽阳极蚀刻装置图。第二图:系经阳极蚀刻后多孔矽之光激发光谱。第三图:系经阳极蚀刻后再氧化之多孔矽之光激发光谱。第四图:多孔矽蓝光发光二极体之结构图。 |
