| 主权项 |
1. 一种用以制造可供以矽晶圆处理设备加以处理之矽在蓝宝石上晶圆的方法,此方法包含:在一矽在蓝宝石上晶圆的一背侧上沉积一层状物,该层状物具有矽的光学及电气特性,其中该矽在蓝宝石上晶圆可以被一个设计成供感测矽晶圆之存在否的感测器来加以感测到。2. 如申请专利范围第1项之方法,其中该沉积层状物的步骤包含有沉积一层矽层。3. 如申请专利范围第1项之方法,其中该沉积层状物的步骤包含有沉积一层具有一掺杂区域的多晶矽层。4. 如申请专利范围第3项之方法,其中该沉积多晶矽层的步骤包含有沉积一层具有一掺杂区域的多晶矽层,其中该多晶层具有每单位面积约小于50欧姆的电阻値。5.如申请专利范围第3项之方法,其中该沉积层状物的步骤包含有沉积一层至少2微米厚的多晶层。6. 如申请专利范围第5项之方法,进一步包含有将一掺杂剂植入到该多晶层内。7. 如申请专利范围第6项之方法,其中该将掺杂剂植入多晶层内之步骤包含有将掺杂剂以约175KeV的能量加以植入。8. 如申请专利范围第7项之方法,其中该以约为175KeV的能量将掺杂剂加以植入的步骤包含有以约1.0e16I/cm@su2之剂量的磷离子以175KeV加以植入。9. 如申请专利范围第3项之方法,进一步包含有在掺杂过之多晶矽层上沉积一层氮化矽层。10. 一种用以制造可供以矽晶圆处理设备加以处理之矽在蓝宝石上晶圆的方法,此方法包含有:在一矽在蓝宝石上晶圆的一背侧上沉积一层状物,该层状物具有可供该矽在蓝宝石上晶圆被一个设计成供感测矽晶圆之存在否的光学感测器来加以感测到的光学特性。11. 如申请专利范围第10项之方法,其中该沉积层状物的步骤可沉积出一层具有可使该矽在蓝宝石上晶圆能被一光学感测器所侦测到之不透明性的层状物。12. 一种用以制造可供以矽晶圆处理设备加以处理之矽在蓝宝石上晶圆的方法,此方法包含有:在一矽在蓝宝石上晶圆的一背侧上沉积一层状物,该层状物具有可供该矽在蓝宝石上晶圆被一个设计成供感测矽晶圆之存在否的电感测器来加以感测到的电气特性。13. 如申请专利范围第12项之方法,其中该沉积层状物的步骤可沉积出一层具有可使一电感测器能侦测到该矽在蓝宝石上晶圆之导电性的层状物。14. 一种用以制造矽在蓝宝石上晶圆的方法,此方法包含有:在一矽在蓝宝石上晶圆的一背侧上沉积一层掺杂处理过之矽层;在该掺杂之矽层上沉积一层氮化矽层,其中该掺杂之矽层及氮化矽层可提供该矽在蓝宝石上晶圆和矽相同的光学及电气特性,而使得该矽在蓝宝石上晶圆可以被一个设计成供感测矽晶圆之存在否的感测器来加以感测到。15. 如申请专利范围第14项之方法,其中该用以在矽在蓝宝石上晶圆之背侧上沉积出掺杂之矽层的步骤包含有:在矽在蓝宝石上晶圆的背侧上沉积出一层多晶矽层;以及在该多晶矽层内植入一掺杂剂。16. 如申请专利范围第15项之方法,其中该用以在矽在蓝宝石上晶圆之背侧上沉积出多晶矽层的步骤包含在矽在蓝宝石上晶圆背侧上沉积一层至少2微米厚的多晶矽层。17. 如申请专利范围第15项之方法,其中该用以在矽在蓝宝石上晶圆之背侧上沉积出多晶矽层的步骤包含有使用低压化学蒸镀法在矽在蓝宝石上晶圆背侧上沉积一层多晶矽层。18. 如申请专利范围第14项之方法,其中沉积氮化矽层的步骤包含有沉积厚度自约500埃至约5000埃的氮化矽层。19. 如申请专利范围第14项之方法,其中沉积氮化矽层的步骤包含使用低压化学蒸镀法来沉积出该层氮化矽层。20. 一种用以制造可供以矽晶圆处理设备加以处理之具有非矽质背侧之晶圆的方法,此方法包含有:在一晶圆的一背侧上沉积一层状物,该层状物具有可使该晶圆被一用以侦测矽晶圆之光学感测器加以侦测到的光学特性。21. 一种晶圆,包含有:一背侧之非矽质基体;以及一层设置在该背侧上的层状物,其中该层状物具有可使该矽在蓝宝石上晶圆被一用以侦测矽晶圆之光学感测器加以侦测到的光学特性。22. 一种晶圆,包含有:一非矽质基体;以及一层设置在背侧上的层状物,其中该层状物具有可使该矽在蓝宝石上晶圆被一用以侦测矽晶圆之电感测器加以侦测到的电气特性。23. 一种矽在蓝宝石上晶圆,包含有:一背侧;以及一层多晶矽层,其具有可使该矽在蓝宝石上晶圆被一用以侦测矽晶圆之光学感测器加以侦测到的光学特性。24. 如申请专利范围第23项之矽在蓝宝石上晶圆,其中该多晶矽层是以低压化学蒸镀法沉积出来的多晶矽晶圆。25. 如申请专利范围第23项之矽在蓝宝石上晶圆,其中该多晶矽层具有至少2微米厚的厚度。26. 如申请专利范围第23项之矽在蓝宝石上晶圆,其中该多晶矽层包含有一掺杂区域,其具有可使该矽在蓝宝石上晶圆能被一用以侦测矽晶圆的电感测器加以侦测到的电气特性。27. 如申请专利范围第26项之矽在蓝宝石上晶圆,其中该掺杂区域包含有植入的磷离子。28. 如申请专利范围第26项之矽在蓝宝石上晶圆,其中该具有掺杂区域的多晶矽层具有每单位面积约小于50欧姆的电阻値。29. 如申请专利范围第26项之矽在蓝宝石上晶圆,进一步包含有一层沉积在该多晶矽层上的氮化矽层。30.如申请专利范围第29项之矽在蓝宝石上晶圆,其中该氮化矽层是以低压化学蒸镀法沉积出来的氮化矽层。31. 如申请专利范围第29项之矽在蓝宝石上晶圆,其中该氮化矽层具有自约500埃至约5000埃的厚度。图示简单说明:图1显示出一矽在蓝宝石上晶圆的部份剖面图,其可用以实施本发明之一较佳具体实施。图2A至2C系部份剖面图,显示出本发明制造矽在蓝宝石上晶圆的方法。图3显示出根据本发明之一较佳具体实例所处理之矽在蓝 |
