发明名称 |
DISPOSITIF MEMOIRE A SEMI-CONDUCTEURS POUR LA REALISATION D'UN TEST D'ECRITURE EN PARALLELE ET SA METHODE D'APPLICATION. |
摘要 |
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申请公布号 |
FR2656729(B1) |
申请公布日期 |
1996.09.20 |
申请号 |
FR19900002486 |
申请日期 |
1990.02.28 |
申请人 |
SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD |
发明人 |
CHOI HOON;SHU DONG-IL |
分类号 |
G06F11/20;G11C11/401;G11C11/407;G11C29/00;G11C29/24;G11C29/34;(IPC1-7):G11C29/00 |
主分类号 |
G06F11/20 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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