发明名称 DISPOSITIF MEMOIRE A SEMI-CONDUCTEURS POUR LA REALISATION D'UN TEST D'ECRITURE EN PARALLELE ET SA METHODE D'APPLICATION.
摘要
申请公布号 FR2656729(B1) 申请公布日期 1996.09.20
申请号 FR19900002486 申请日期 1990.02.28
申请人 SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD 发明人 CHOI HOON;SHU DONG-IL
分类号 G06F11/20;G11C11/401;G11C11/407;G11C29/00;G11C29/24;G11C29/34;(IPC1-7):G11C29/00 主分类号 G06F11/20
代理机构 代理人
主权项
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