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<P>Dans un transistor à effet de champ du type à grille isolée et son procédé de fabrication, une région de diffusion (5) est formée dans un substrat de semi-conducteur (1, 2) en atmosphère oxydante par diffusion thermique, et une couche de semi-conducteur d'un premier type de conductivité (6) est formée sur le substrat de semi-conducteur par épitaxie en phase vapeur après la formation de la région de diffusion. Ensuite, la surface de la couche de semi-conducteur (6) est aplatie, et un film d'isolation de grille (11) et une électrode de grille (12) sont formés sur la couche aplatie (6). En outre, une région à puits (8, 9) ainsi qu'une région à source (10) sont formées dans la couche de semi-conducteur (6) afin de constituer un transistor à effet de champ du type à grille isolée. Etant donné que la surface (7) de la couche de semi-conducteur (6) dans laquelle le transistor est formé est aplatie, même si la région encastrée (5) est formée dans la tranche, on peut empêcher que la caractéristique de la tension d'isolement entre grille et source ne se détériore.</P> |
