| 发明名称 |
MEMORY CELL WITH REDUCED LEAKAGE CURRENT BY USING LOW-POWER AND LOW-THRESHOLD CMOS PATH TRANSISTOR |
| 摘要 |
|
| 申请公布号 |
JPH08235858(A) |
申请公布日期 |
1996.09.13 |
| 申请号 |
JP19950305980 |
申请日期 |
1995.11.24 |
| 申请人 |
SUN MICROSYST INC |
发明人 |
JIEEMUZU DABURIYU ROOZU;GOTSUDOFUREI POORU DESUUZA;JIYONASAN JIEI SUTEINHERUFUAA;JIEEMUZU EFU TESUTA |
| 分类号 |
G11C11/412;G11C11/404;G11C11/407;G11C11/418;(IPC1-7):G11C11/407 |
主分类号 |
G11C11/412 |
| 代理机构 |
|
代理人 |
|
| 主权项 |
|
| 地址 |
|
