DISPOSITIF DE RECOPIE DE TENSION A GRANDE LINEARITE

摘要

L'invention concerne un dispositif de recopie d'une tension (Ve). Il comporte une paire de transistors MOS (T1,T2) en série, leurs sources (s1,s2) formant un point commun (A). La tension à recopier (Ve) est appliquée entre la grille (g1) du premier transistor MOS (T1) de la paire et une référence.
Des moyens (lc) sont prévus pour injecter un flux d'électrons au point commun (A).
Une capacité de stockage (Cs) a une première borne reliée au drain (d2) du second transistor MOS (T2) et une seconde borne destinée à être polarisée. Des moyens (I) imposent un potentiel (Vd2) au drain (d2) du second transistor MOS (T2) puis le laissent varier de manière à ce que le flux d'électrons se stocke sur la capacité de stockage (Cs) tout en diminuant dans le second transistor MOS (T2) au bénéfice du premier (T1). La tension recopiée (Vs) est disponible après stabilisation entre la première borne de la capacité de stockage (Cs) et la référence.
Application notamment aux circuits de lecture de charges engendrées dans une matrice ou une barrette photosensibles.