| 摘要 |
<p>L'invention concerne une structure de semi-conducteur (10') constituée d'une pile dans laquelle une couche supérieure d'oxyde SiO2 (15) est superposée sur une couche de siliciure de tungstène (14) reposant elle-même sur une couche inférieure de polysilicium (13); la pile en question est formé sur un substrat de silicium (11) revêtu d'une mince couche d'oxyde (12). On obtient les motifs de la structure selon un procédé d'attaque au plasma en deux étapes entre lesquelles s'intercalent une étape de décapage/nettoyage du résist. Après la mise en place d'un masque de résist (16) au sommet de la structure, on attaque la couche supérieure SiO2 selon la procédure classique dans la première chambre d'un réacteur à plusieurs chambres d'attaque au plasma d'ions réactifs à optimisation magnétique (MERIE) en utilisant les éléments suivants CHF3, O2 et Ar. Ensuite, la structure est extraite du réacteur. On élimine le masque de résist en utilisant un calcinateur O2 selon la procédure classique et on nettoie la plaquette en la plongeant dans un bain d'acide fluorhydrique dilué (100:1). Après quoi, la plaquette est introduite dans une deuxième chambre du réacteur de type RIE, ce qui permet d'attaquer successivement les couches de WSi2 et de polysilicium selon un procédé chimique adéquat en utilisant comme masque dur la couche de SiO2 formée. Un mélange de HCI, CI2 et N2, de préférence avec quelques ppm de O2, est indiqué pour l'attaque du siliciure de tungstène et, par ailleurs, un mélange de HCI, He et He-O2 se prête bien à l'attaque du polysilicium. Au cours de cette phase, la fine couche d'oxyde est attaquée dans des proportions très réduites. On peut alors extraire la plaquette de la chambre de réaction afin de poursuivre la traitement. Le procédé décrit dans l'invention est sensiblement exempt de toute contamination et nécessite seulement deux chambres de réaction, alors qu'il en faut quatre en ce qui concerne le processus d'attaque conventionel. Le potentiel d'application de ce procédé est important dans l'industrie des semi-conducteurs et, en particulier, dans la fabrication des piles de conducteurs de grille sur les microcircuits à mémoire RAM dynamique à 16 Mbit.</p> |
