| 主权项 |
1. 一种横向半导体装置包含: 一第一传导率类别的半导体本体; 一与第一传导率类别相反之第二传导率类别之漂 移区,形 成于半导体本体表面; 一泄区形成于漂移区中及具有一表面面积包括一 端部分具 有一预定表面曲率半径及一第一表面具有一传移 部分,其 中设计式样宽度自第一宽度收缩成第二表面宽度, 及一中 介部分具有第二宽度;及 一源区形成于漂移区及与泄区相间隔。2. 如申请 专利范围第1项之横向半导体装置,其中第一表 面宽度大于第二表面宽度。3. 如申请专利范围第1 项之横向半导体装置,其中泄区预 定表面曲率半径之选择可使泄区支持一该装置预 定最小崩 溃电压。4. 如申请专利范围第3项之横向半导体装 置,其中装置崩 溃电压大于300伏特。5. 如申请专利范围第1项之横 向半导体装置,其中源区与 泄区均匀间隔。6. 如申请专利范围第1项之横向半 导体装置,其中泄区系 第二传导率类别其掺杂物浓度大于漂移区。7. 如 申请专利范围第6项之横向半导体装置,其中第二 传 导率类别源区的掺杂物浓度大于漂移区。8. 如申 请专利范围第7项之横向半导体装置,另包含第一 传导率类别之通道本体,其掺杂物浓度大于半导体 本体, 通道本体实质包围源区。9. 如申请专利范围第8项 之横向半导体装置,其中半导体 本体系P型,漂移区系N型,源及泄区系N+型,而通道本 体系P型。10. 如申请专利范围第6项之横向半导体 装置,其中源区 系第一传导率类别,其掺杂物浓度大于半导体本体 。11. 如申请专利范围第10项之横向半导体装置,其 中半导 体本体系P型,漂移区系N极,阳极区系P+型,而源区系 P 型。12. 如申请专利范围第1项之横向半导体装置, 其中源区 有一表面面积包括一端部分具有一预定表面曲率 半径及第 一表面宽度,一转移部分其中表面宽度自第一宽度 收缩成 第二表面宽度,及一中介部分具有第二宽度。13. 如申请专利范围第12项之横向半导体装置,其中源 区 及泄区系在漂移区上形成一交替构造。14. 一种横 向MOS构造包含: 一第一传导率类别之半导体本体; 一第二传导率类别漂移区形成于半导体本体表面 上; 一第二传导率类别泄区在漂移区内形成一泄区接 合处,泄 区具有一端部分至少在一点上具有一第一横向表 面宽度, 一转移部分自第一宽度收缩成第二横向表面宽度, 及一中 介部分具有第二宽度; 一第二传导率类别源区在漂移区内形成一源接合 处;及 一第一传导率类别通道本体实质包围源区; 其中泄区接合处在泄区端部分有一预定最小曲率 半径,及 泄区接合处在转移部分有一较大的曲率半径。15. 如申请专利范围第14项之横向MOS构造,其中第一横 向表面宽度大于第二横向表面宽度。16. 如申请专 利范围第14项之横向MOS构造,其中泄区接 合处预定最小曲率半径之选择使泄区可支持该构 造预定崩 溃电压。17. 如申请专利范围第16项之横向MOS构造, 其中构造之 崩溃电压系大于300伏特。18. 如申请专利范围第14 项之横向MOS构造,其中泄区与 源区均匀间隔。19. 如申请专利范围第14项之横向 MOS构造,其中泄区及 源区之掺杂物浓度较漂移区为高,及通道本体掺杂 浓度为 大于半导体本体。20. 如申请专利范围第19项之横 向MOS构造,其中半导体 本体系P型,漂移区系N型,源及泄区系N+型,而通道本 体为P型。21. 一种二极体构造包含: 一第一传导率类别半导体本体; 一第二传导率类别漂移区形成于半导体本体表面 上; 一第二传导率类泄区于漂移区内形成泄区接合处, 泄区具 有一端部分至少在一点具有一最大横向表面宽度, 一转移 部分自最大宽度收缩成最小横向表面宽度,及一中 介部分 具有最小宽度;及 一第一传导率类别源区在漂移区内形成一源区接 合处; 其中泄区接合处有在泄区端部分具有一预定最小 曲率半径 ,及泄区接合处在转移部分具有较大的曲率半径。 22. 如申请专利范围第21项之二极体构造,其中泄区 接合 处预定最小曲率半径之选择使泄区可支持构造之 预定崩溃 电压。23. 如申请专利范围第22项之二极体构造,其 中构造的崩 溃电压大于300伏特。24. 如申请专利范围第21项之 二极体构造,其中源区与泄 区均匀间隔。图示简单说明: 第1图系横向半导体装置横截面; 第2图系横向半导体装置顶视图; 第3图系另一实施例横向半导体装置之顶视图; 第4图系第二个另外的横向半导体装置实施例之截 面图; |
