沉积第IIIA族金属薄膜的方法

摘要

一种将高纯度第ⅢA族金属层沉积在基材上的方法，它包括基材与第ⅢA族金属的叔丁基化合物接触，然后使该化合物裂解，在基材上留下沉积的第ⅢA族金属。本发明的方法可用于任何适合的基材，如硅和聚酰亚胺。本发明的方法可用于第ⅢA族金属/硅合金的生长，以及用于使半导体Ⅲ-Ⅴ合金沉积，如AlGaAs、AlInAs和AlSb合金的沉积。

主权项

1.一种在基材上沉积第IIIA族金属膜的方法，它包括以下步骤：基材与第IIIA族金属前体接触，以及处理前体使之分解，留下沉积在基材上的第IIIA族金属，其中前体是第IIIA族金属的三叔丁基化合物。