发明名称 |
METHOD AND SYSTEM FOR FABRICATING INSULATING LAYER ON SEMICONDUCTOR SUBSTRATE SURFACE |
摘要 |
Un procédé et un système pour fabriquer une couche isolante permettent d'optimiser les performances d'un faisceau énergétique et ainsi d'obtenir une reproductibilité et une homogénéité suffisamment élevées de la couche formée. Le procédé ci-décrit consiste à irradier la surface opposée du semi-conducteur avec un faisceau énergétique, dans une atmosphère d'un réactif gazeux qui est absorbé. De préférence, le réactif gazeux est soumis à photolyse par le faisceau lumineux. Le dispositif permettant d'effectuer le procédé comprend une source dirigeant un faisceau énergétique sur un substrat de semi-conducteur, lequel faisceau chauffe la surface du semi-conducteur. |
申请公布号 |
WO8605320(A1) |
申请公布日期 |
1986.09.12 |
申请号 |
WO1986JP00103 |
申请日期 |
1986.02.28 |
申请人 |
SONY CORPORATION |
发明人 |
SAMEJIMA, TOSHIYUKI;USUI, SETSUO |
分类号 |
H01L21/268;H01L21/316;H01L21/318;(IPC1-7):H01L21/316 |
主分类号 |
H01L21/268 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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