半导体器件的制造方法

摘要

在热处理设备的炉管中，为保持热处理炉管的内部空间处于混合气体的气氛中，包含5至25vol％，最好是20vol％的O₂和95至75vol％，最好是80vol％的N₂的混合气体。然后将半导体片插入炉管中，接着用N₂气清洗炉管的内部空间后引入真空。用低压化学汽相淀积方法形成多晶硅层。内部空间由N₂气清洗，并将半导体片由炉管取出。防止在将半导体片插入炉管中时周围空气的进入，形成均匀厚度的天然氧化层，从而改善h_FE的控制能力。

主权项

1.一种半导体器件的制造方法，它包括下列步骤：保持热处理室的内部空间在包含75至95vol％N2和5至25vol％O2的混合气氛下；将半导体片在所述混合气氛下插入所述热处理室中；和对热处理室内半导体片进行热处理。