FORMING METHOD OF PROTECTIVE INSULATION FILM ON SEMICONDUCTOR SUBSTRATE,申请号JP19950032467-传众专利搜索

发明名称	FORMING METHOD OF PROTECTIVE INSULATION FILM ON SEMICONDUCTOR SUBSTRATE
摘要
申请公布号	JPH08227890(A)	申请公布日期	1996.09.03
申请号	JP19950032467	申请日期	1995.02.21
申请人	SONY CORP	发明人	MUROYAMA MASAKAZU
分类号	H01L21/283;H01L21/31;H01L21/318;H01L21/768;(IPC1-7):H01L21/318	主分类号	H01L21/283
代理机构		代理人
主权项
地址