| 主权项 |
1. 一种程式化具有一控制闸、一浮闸、一汲极、一源极与一介于汲极与源极之间的通道区之非挥发性记忆体储存格方法,其中包含如下步骤:施加一第一电压至控制闸以便在通道区形成一反转层,藉着变化该第一电压,以程式化记忆体储存格达二阶以上临界位准;施加一第二电压至汲极、第三电压至源极,该第二电压高于第三电压;在程式化的过程中,监测流经汲极与源极之间的电流;与在监测电流达预设参考电流値时,中止第一、第二或第三电压任一者,以停止二阶以上之程式化。2. 一种依申请专利范围第1项所述之非挥发性记忆体储存格程式化的方法,其中的参考电流在二阶以上之程式化过程中维持定値。3. 一种程式化具有一控制闸、一流动闸、一汲极与一源极之非挥发性记忆体储存格的方法,其中包含如下步骤:施加一可变第一电压至控制闸;施加一第二电压至汲极、一第三电压至源极;在施加第一电压至控制闸的过程中,监测流经汲极与源极之间的电流;与在监测电流达参考电流値时,中止第一、第二或第三电压中的任一者。4. 一种依申请专利范围第3项所述之非挥发性记忆体储存格程式化的方法,其中用以监测电流的步骤包括监测浮闸电压。5. 一种依申请专利范围第3项所述之非挥发性记忆体储存格程式化的方法,其中用以监测电流的步骤包括监测浮闸电荷量。6. 一种依申请专利范围第3项所述之非挥发性记忆体储存格程式化的方法,其中,施加在控制闸的第一电压会在汲极与源极之间的通道区形成一反转层。7. 一种依申请专利范围第6项所述之非挥发性记忆体储存格程式化的方法,其中用以监测电流的步骤包括监测反转层的导电性。8. 一种依申请专利范围第3项所述之非挥发性记忆体储存格程式化的方法,其中的第一电压与记忆体储存格二阶以上临界位准成线性关系。9. 一种依申请专利范围第3项所述之非挥发性记忆体储存格程式化的方法,其中的第二电压较第三电压为高。19. 一种依申请专利范围第3项所述之非挥发性记忆体储存格程式化的方法,其中的参考电流为一定値。11. 一种程式化非挥发性记忆体储存格为二临界位准以上的方法,该记忆体储存格具有一控制闸、一浮闸、一汲极与一源极,该方法包含如下步骤:施加一第一电压至控制闸,该第一电压相当于该二阶以上临界位准之一者;施加一第二电压至汲极、一第三电压至源极;在施加第一电压至控制闸的同时,监测流经汲极与源极之间的电流;与在监测到的电流达参考电流値时,中止第一、第二或第三电压中的任一者。12. 一种依申请专利范围第11项所述之非挥发性记忆体储存格程式化的方法,其中用以监测电流的步骤包括监测浮闸电压。13. 一种依申请专利范围第11项所述之非挥发性记忆体储存格程式化的方法,其中用以监测电流的步骤包括监测浮闸电荷量。14. 一种依申请专利范围第11项所述之非挥发性记忆体储存格程式化的方法,其中,施加在控制闸的第一电压会在汲极与源极之间的通道区形成一反转层。15. 一种依申请专利范围第14项所述之非挥发性记忆体储存格程式化的方法,其中用以监测电流的步骤包括监测反转层的导电性。16. 一种依申请专利范围第11项所述之非挥发性记忆体储存格程式化的方法,其中的第一电压与记忆体储存格二阶以上临界位准成线性关系。17. 一种依申请专利范围第11项所述之非挥发性记忆体储存格程式化的方法,其中的第二电压较第三电压为高。18. 一种依申请专利范围第11项所述之非挥发性记忆体储存格程式化的方法,其中的参考电流为一定値。图示简单说明:图1A所示为一般非挥发性记忆体储存格的电路图;图1B所示为图1A中之非挥发性记忆体储存格的自动验证程式化原理;图2所示为依本发明具体实施例、使用一电流侦测器之程式化方法;图3A至3G所示为图2各节点波形图;图4所示为依本发明具体实施之二阶或多阶程式化过程流程图;图5A所示为相当于图1A之非挥发性记忆体储存格电路图,用以说明电容;图5B所示为待程式化之临界位准与对应控制闸电压间的关系;与图5C所示为程式化各对应位准由初始至结束间的汲极电流 |
