| 主权项 |
1. 一种用于分离烯烷烃混合气体之分离膜之制备方法,包含:(a) 一基材聚合物与一欲被接枝之单体进行接枝聚合反应,而获得一含有羧酸基之接枝聚合物,其中该基材聚合物为由加成聚合反应所得之碳氢化合物聚合体或共聚合体,并且该聚合体或共聚合体为在高能辐射后不致严重分解者,该单体为含有羧酸或羧酸酯官能基之不饱合碳氢化合物,该接枝聚合反应系以高能辐射照射法进行;(b) 将上述接枝聚合物与金属离子溶液反应,获得一分离烯烷烃混合气体之分离膜。2. 如申请专利范围第1项之制备方法,其中聚合物材质系指低密度聚乙烯(LDPE)、高密度聚乙烯(HDPE)与线性低密度聚乙烯(LLDPE)、聚丙烯。3. 如申请专利范围第1项之制备方法,其中该含有羧酸或羧酸酯官能基之不饱合碳氢化合物单体系指丙烯酸、甲基丙烯酸、乙基丙烯酸、丙快酸、苯乙烯羧酸、顺-丁烯二酐、顺-丁烯二酸、反-丁烯二酸。4. 如申请专利范围第1项之制备方法,其中该高能辐射照射之照射源为钴—六十、电子射线、紫外光。5.如申请专利范围第1项之制备方法,其中该高能辐射照射法为同时照射法与预照射法。6. 如申请专利范围第1项之制备方法,其中之金属离子溶液系由金属离子、醇类羟基溶剂、氧化剂所组成,该金属离子系指可提供具有未饱合配位基电子或单电子对之第V、VI、VII族金属离子,该醇类羟基溶剂系指羟基数目小于4之醇类。7. 如申请专利范围第6项之制备方法,其中之金属离子系指银、铜(I)、铷。8. 如申请专利范围第6项之制备方法,其中该醇类羟基溶剂系指乙二醇、丙二醇、丁二醇、丙三醇。9. 如申请专利范围第6项之制备方法,其中该氧化剂系指过氧化氢。图示简单说明:图1近年来薄膜技术市场上发展状况。图2照射时间与接枝率关系。▲1.25Mrad/hr;■0.91Mrad/hr;●0.48 Mrad/hr.图3总照射剂量与接枝率之关系(照射强度0.48Mrad/hr)。图4不同接枝率之聚乙烯—接枝—丙烯酸共聚物膜(PE-g-AA)之扫描电子显微镜(SEM)图形。a:0%; b:28.6%; c:51.5%; d:88.2%图5接枝率大于120%之PE-g-AA膜之图形。图6最终强度(,▲)及最大伸度(○,●)与接枝率之关系。(,○):PE-g-AA膜;(▲,●):PE-g-AA-Ag@su+膜图7聚乙烯-接枝-丙烯酸共聚物膜之杨氏系数。图8错合膜内银离子之含量(,▲)或浓度(○,●)与接枝率关系(,○):膜先经澎润;(▲,●):膜直接含浸银溶液图9接枝丙烯酸共聚物膜(PE-g-AA)截面之电子显微镜(SEM-EDX)图。a:111.7%(KOH预处理);b:111.7%c:67.2%(KOH预处理)图10不同接枝率之错合膜对丙烷(▲,●,■)/丙烯(,○,)混合气之透过系数之关系。(●,○)20℃;(■,)40℃;(▲,)60℃图11不同接枝率之错合膜对丙烷/丙烯混合气之分离系数之关系。○20℃;40℃;60℃图12不同接枝率之错合膜对正丁烷(▲,●,■)/1-丁烯(,○,)混合气之透过系数之关系。(●,○)20℃;(■,)40℃;(▲,)60℃图13不同接枝率之错合膜对正丁烷/1-丁烯混合气之分离系数之关系;○20℃;40℃;60℃图14不同接枝率之错合膜对异丁烷(▲,●,■)/1-丁烯(,○,)混合气之透过系数之关系。(■,)50℃;(●,○)70℃;(▲,)90℃图15不同接枝率之错合膜对异丁烷/1-丁烯混合气之分离系数之关系。▲30℃;■50℃;●70℃;◆90℃图16不同接枝率之错合膜对异丁烷(i)/顺-2-丁烯(s)/反-2-丁烯(t)混合气之透过系数之关系▲30℃;●50℃;■70℃图17顺-2-丁烯/异丁烷(,○,,◇)、反-2-丁烯/异丁烷(▲,●,■,◆)对不同接枝率错合膜之分离系数之关系。(●,○)30℃;(◆,◇)50℃;(▲,)70℃;(■,)90℃图18三成份混合气(异丁烷/反-2-丁烯/顺-2-丁烯)之透过系数与分离系数随时间变化情形。图19再生前(-)、后(---)之膜对异丁烷(▲)、反-2-丁烯(■)、顺-2-丁烯(●)三成份混合气之透过系数对温度变化。图20再生前(-)、后(---)之膜对反-2-丁烯/异丁烷(■) |
