| 主权项 |
1. 一种唯读记忆体感测放大装置,用以将复数记忆单元储存之资料读出,该装置包括:一N型MOS场效电晶体,以汲极耦合该等记忆单元,以源极接地,以闸极耦合一高电压电源;以及至少一虚拟高压端,形成于该等记忆单元上,以提供该高电压电源偏压该等记忆单元。2. 如申请专利范围第1项所述之装置,其中,更包括一反相器,以其输入端耦合该N型MOS场效电晶体之汲极端。3. 一种唯读记忆体感测放大置,用以将复数记忆单元储存之多阶资料读出,该装置系包括至少一组如申请专利范围第1项所述之装置。4. 一种唯读记忆体感测放大装置,用以将复数记忆单元储存之资料读出,该装置包括:一感测单元,耦合于该等记忆单元和一低电压端之间,用以感测流经该等记忆单元之电流,并反映为一电压差于其一端点上;一比较器,以该感测单元反映之该电压差値与一参考电压比较,以产生一逻辑讯号输出;以及至少一虚拟高压端,形成于该等记忆单元上,以提供一高电压电源偏压该等记忆单元。5. 如申请专利范围第4项所述之装置,其中,该感测单元为一N型MOS场效电晶体,以汲极耦合该等记忆单元,以源极连接该低电压端,以闸极耦合该高电压电源。6.如申请专利范围第4项所述之装置,其中,该感测单元为复数串联之N型MOS场效电晶体,其以串联之汲极端耦合该等记忆单元,源极连接该低电压端,而以各该等串联N型MOS场效电极体之闸极均接至该高电压电源。7.如申请专利范围第4项所述之装置,更包括一放大单元,耦合于该感测单元和该比较器之间,用以将该电压差値放大。8. 如申请专利范围第7项所述之装置,其中,该放大单元为一CMOS反相器。9. 如申请专利范围第7项所述之装置,其中,该放大单元为具有主动负载之MOS反相器。10. 如申请专利范围第4项所述之装置,其中,该低电压端为接地端。11. 如申请专利范围第4项所述之装置,其中,该低电压端系由一N型MOS场效电晶体之汲极端所提供,该N型MOS场效电晶体之源极接地,其闸极则耦合至汲极。12.如申请专利范围第11项所述之装置,更包括一N型MOS电晶体以汲极耦合该低电压端,其源极接地,而其闸极为一致能讯号所控制,提供节电之操作。13. 如申请专利范围第4项所述之装置,其中,该参考电压系以依照该等记忆单元和读感测单元之设计形成之电路而产生。14. 一种唯读记忆体感测放大装置,用以将复数记忆单元储存之多阶资料读出,该装置包括至少一组如申请专利范围第4项所述之装置。图示简单说明:第1图绘示习知唯读记忆体感测放大电路结构。第2图绘示依照第1图电路结构之一实例。第3图绘示依照本发明之唯读记忆体感测放大电路基本结构。第4A图和第4B图为依照第3图电路结构之二实施例电路图。第5图为依照本发明一较佳实施例电路图。第6A图和第6B图绘示第5图中,做为讯号放大部份之电路 |
