| 主权项 |
1. 一种选择性测量放射性核种线的方法,尤指利用线光谱系统去测量核反应炉之炉水,其中进一步包括每个放射出一对径向相反之衰减性线的放射性核种,该光谱系统包括有一次侦测器,其侦测线之光子和某一个方向之衰减性线的光子、二次侦测器,其至少侦测相反方向之另一个衰减性线的光子、展蔽侦测器,其侦测由一次侦测器脱离至屏蔽侦测器之线的康普顿-散射光子、以及连接一次、二次和屏蔽侦测器之反符合电路,一次侦测器和二次侦测器位于冷却液管之轴的相对位置,该管内流动的是炉水,屏蔽侦测器,除了其面向管的部份外,其余均围绕在一次侦测器周围,该面向管的部份为线和衰减性线射入处,其中方法包括:由一次侦测器脉冲式地侦测线之光子和其衰减性线中之一之光子的同时,也利用二次侦测器以脉冲式侦测另一个衰减性线之光子;计数与一次侦测器之脉冲反符合之二次侦测器的脉冲,藉此除去由一次侦测器所记录之衰减性线的脉冲,因而将一次侦测器之衰减性线最小化;然后决定线之计数。2. 如申请专利范围第1项之选择性测量放射性核种线的方法,尤指核子反应炉中炉水的测量,其中进一步包括同时以屏蔽侦测器脉冲式地侦测线之康普顿-散射的光子;且计数与一次侦测器脉冲反符合之屏蔽侦测器的脉冲,以除去由一次侦测器所记录之康普顿-散射之线,藉此减少一次侦测器之康普顿-散射的线。3. 如申请专利范围第1项之选择性测量放射性核种线的方法,其中包括使用半导体侦测器或闪烁侦测器作为一次侦测器,并且使用闪烁侦测器作为二次侦测器和屏蔽侦测器。4. 如申请专利范围第2项之选择性测量放射性核种线的方法,其中包括使用半导体侦测器或闪烁侦测器作为一次侦测器,并且使用闪烁侦测器作为二次侦测器和屏蔽侦测器。5. 如申请专利范围第3项之选择性测量放射性核种线的方法,其中半导体侦测器系选自锗侦测器、锂漂移矽侦测器和锑化镉侦测器;和闪烁侦测器系选自由铊所活化之碘化钠侦测器。由铊所活化之碘化铯侦测器、和锗酸铋侦测器。6. 如申请专利范围第4项之选择性测量放射性核种线的方法,其中半导体侦测器系选自锗侦测器、锂漂移矽侦测器和锑化镉侦测器;和闪烁侦测器系选自由铊所活化之碘化钠侦测器。由铊所活化之碘化铯侦测器、和锗酸铋侦测器。图示简单说明:图1为线光谱测量系统的纵向截面略图,其为实现本发明方法的一个例子,显示侦测装置为该系统的必要部份;图2为图1之侦测装置的横向截面略图;和图3为线光谱测量系统之图解说明,其用来显示本发明 |
