| 主权项 |
1. 欲充作数据贮存单位载体之玻璃基质,其由表面 离子 交换强化,且其基质包括如下列重量比例之组份: SiO@ss2@fl 45-65% Al@ss2O@ss3@fl 0-20% B@ss2O@ss300 0-5% Na@ss2O@fl 4-12% K@ss2O@fl 3.5-12% MgO00 0-8% CaO@fl 0-13% ZrO@fl 0-20% 氧化物SiO@ss2,Al@ss2O@ss3和ZrO@ss2总和相等或低于 70%,该组成物可选择性含有氧化物BaO和/或SrO,重量 比例为11% MgO+CaO+BaO+SrO 24%,并引入下列重 量百分比之硷氧化物 0.22 Na@ss2O/Na@ss2O+K@ss2O 0.60。2. 如申请专利范围第1 项之玻璃基质,其特色系该基质包 括下列组份,其重量比例如下: SiO@ss2@fl 45-65% Al@ss2O@ss3@fl 0-20% B@ss2O@ss300 0-5% Na@ss2O@fl 4-12% K@ss2O@fl 4-12% MgO00 0-8% CaO00 0-8% ZrO@ss200 0-6% 其中氧化物SiO@ss2,Al@ss2O@ss3和ZrO@ss2总和维持等 于或低于70%,该组成物选择性包括氧化物BaO和/或 SrO ,其比例为11% MgO+CaO+BaO+SrO 24%,且引入之 硷氧化物重量百分比如下: 0.22 Na@ss2O/Na@ss2O+K@ss2O 0.60。3. 如申请专利范围第1 项之基质,其特征系该Al@ss2O@ ss3之重量含量等于或高于10%。4. 如申请专利范围 第1项之基质,其特征系该ZrO@ss2重 量含量低于5%。5. 如申请专利范围第1项之基质,其 特征系该CaO之重量 含量低于3%。6. 如申请专利范围第1项之基质,其特 征系该B@ss2O@ss3 之重量含量低于3%。7. 如申请专利范围第1项之基 质,其特征系该组成物包括 下列重量比例之组份: SiO@ss2@fl 45-65% Al@ss2O@ss3@fl 10-20% B@ss2O@ss300 0-3% Na@ss2O@fl 4-12% K@ss2O@fl 4-12% MgO00 0-8% CaO00 0-8% ZrO@ss200 0-5% 该氧化物SiO@ss2,Al@ss2O@ss3和ZrO@ss2总和维持等于 或低于70%,该组成物选择性包括BaO和/或SrO,其比例 为14% CaO+MgO+BaO+SrO 22%,且引入之硷性氧化 物之重量比例如下: 0.22 Na@ss2O/Na@ss2O+K@ss2O 0.60。8. 如申请专利范围第1 项之基质,其特征系该基质包括下 列重量比例之组份: SiO@ss2@fl 53.6% Al@ss2O@ss3@fl 10.0% B@ss2O@ss3@fl 2.2% Na@ss2O@fl 5.2% K@ss2O@fl 6.2% MgO@fl 4.2% CaO@fl 6.8% SrO@fl 7.0% BaO@fl l2.8% ZrO@ss2@fl 2.0%。9. 如申请专利范围第1项之基质,其 特征系该基质包括下 列重量比例之组份: SiO@ss2@fl 45至63% ZrO@ss2@fl 65至20% Al@ss2O@ss3@fl 0至18% Na@ss2O@fl 4至12% K@ss2O@fl 3.5至7% CaO@fl 1至13% MgO@fl 1至8% 该氧化物SiO@ss2,Al@ss2O@ss3和ZrO@ss2总和维持等于 或低于70%,该组成物选择性包括氧化物BaO和/或SrO, 其比例为11% MgO+CaO+BaO+SrO 24%,且引入之硷 性氧化物之重量比例如下: 0.22 Na@ss2O/Na@ss2O+K@ss2O 0.60。10. 如申请专利范围第1 项之基质,其特征系该离子交换 以化学回火进行。11. 如申请专利范围第10项之基 质,其特征系该化学回火 于温度介于400与520℃之KNO@ss3槽中进行少于24小时 。12. 如申请专利范围第10项之基质,其特征系该化 学回火 可藉由外部因素,诸如电场或超声活化之。13. 如 申请专利范围第10项之基质,其特征系其依浮式方 法制得,然后切割,钻孔和处理。14. 如申请专利范 围第1项之基质,其特征系其以型坏压 制方法制得,随后钻孔并处理。15. 如申请专利范 围第1项之基质,其特征系其以此种方 式磨光,因此该粗糙度相对于Ra低于30埃。16. 如申 请专利范围第15项之基质,其特征系其进行最终 磨光,使粗糙度Ra低于10埃。17. 如申请专利范围第1 至16项任一项之基质,系充作硬 |
