首页
产品
黄页
商标
征信
会员服务
注册
登录
全部
|
企业名
|
法人/股东/高管
|
品牌/产品
|
地址
|
经营范围
发明名称
Vertical MOS field effect transistor having a high withstand voltage and a high switching speed
摘要
申请公布号
US4965647(A)
申请公布日期
1990.10.23
申请号
US19890355855
申请日期
1989.05.17
申请人
NEC CORPORATION
发明人
TAKAHASHI, MITSUASA
分类号
H01L29/06;H01L29/78
主分类号
H01L29/06
代理机构
代理人
主权项
地址
您可能感兴趣的专利
Method of Scavenging Mercaptans From Hydrocarbons
MINIMIZING INTERFERENCE BETWEEN CHARGING AND TELEMETRY COILS IN AN IMPLANTABLE MEDICAL DEVICE
METHOD OF CUTTING A WOOD BLOCK AND VENEER LATHE
A LUG CUTTING DEVICE
PROCESS FOR FORMING AN IMAGE ON A TRANSPARENT ACRYLIC ARTICLE
ELECTRO ACOUSTIC TRANSDUCER
TRAGBARE STRAFFE EINRICHTUNG MIT ELEKTROAKUSTISCHEM WANDLER
BATTERY PACK LOCKING DEVICE
MULTI-LAYER FIRE PROTECTION MATERIAL
A SHOCK DAMPING AND THERMAL ISOLATION SYSTEM FOR A SURFACE MOUNTED VIBRATION SENSITIVE DEVICE
TONG POSITIONING ARM
Schwingungsdämpfer für Scheibenbremsen
Mülldurchsatz-Begrenzungsregelung
DUAL VARIABLE DOMAIN IMMUNOGLOBULINS AND USES THEREOF
SUPPORT SYSTEM FOR BIOPROSTHETIC VALVES WITH COMMISURAL POSTS WITH HEART-SHAPED OPENINGS
Referenzkörper zur Ausrichtung von Laserprojektoren und einem Aufnahmesystem relativ zueinander und Tomographiegerät mit einem derartigen Referenzkörper
Kupplungsaggregat
Verfahren und Anordnung zur Regulierung der Temperatur in einem Innenraum eines Gehäuses, insbesondere einem Instrumentenschutzkasten, für elektrische Komponenten sowie Gehäuse
Mischer
Endoskopoptik mit geschlitztem Rohr
