| 摘要 |
<p>Des circuits intégrés convenant à des applications haute-performance, en particulier à des produits à signaux mixtes ayant des sections numériques et analogiques, sont fabriqués à partir d'une structure semi-conductrice dans laquelle des régions enterrées inférieures à types de conductivité opposés sont disposées le long d'une interface semi-conductrice inférieure, entre un substrat semi-conducteur et une couche superposée inférieure semi-conductrice. Une région enterrée supérieure d'un type de conductivité sélectionné est située le long d'une interface semi-conductrice supérieure entre la couche semi-conductrice inférieure et une couche semi-conductrice supérieure superposée. Une autre région enterrée supérieure de type de conductivité opposé à celui de la première région enterrée supérieure mentionnée se trouve de préférence le long de l'interface semi-conductrice supérieure. La couche semi-conductrice supérieure contient des régions de type P et des régions de type N dans lesquelles se trouvent des zones à transistoris. La structure semi-conductrice est conçue de manière à ce qu'au moins une des régions du type P et du type N soit isolée Blectriquement du substrat. Des transistors bipolaires complémentaires peuvent être intégrés dans la structure avec des transistors à effet de champ complémentaires.</p> |
