用于半导体器件中的曝光掩模

摘要

一种用于半导体器件的曝光掩膜，其位于掩模中间部分的重复图型具有最小的线/间距宽度，位于掩模外围部分的重复图型具有较大的线/间距宽度，不一致图型的间距宽度比最小间距宽度大，以及独立图型的线宽比最小线宽大。具有这种结构的曝光掩模能够克服因按照改进的照视法曝光后光刻胶材料残存引起的短路及因过度曝光引起的断路，从而形成一个精确的细微图型，并增加了加工的冗余度，因此在生产效率和操作可靠性方面得到了改进。

主权项

1.一种用于半导体器件的曝光掩模，它包括一个透明衬底、重复图型、不一致图型以及独立图型，图型中的每一个被形成到透明衬底的对应于半导体器件存储区域的位置上，不一致图型的每一个和独立图型被形成到透明衬底的对应于半导体器件外围电路区域的位置上，其中：在掩模的中间部分的重复图型具有最小线/间距宽度，在掩模的外围部分的重复图型具有比上述最小线/间距宽度更大的线/间距宽度；不一致图型的间距宽度比上述最小间距宽度要大；以及独立图型的线宽比上述最小线宽大。