发明名称 | 大面积紫外光刻(曝光)方法及其装置 | ||
摘要 | 本发明涉及一种接触/接近式大面积紫外均匀辐照光刻(曝光)的方法及其装置,采用了可将辐照面内辐照不均匀度与曝光过程中产生的曝光不均匀度互相补偿的偶数光通道光学积分器、复合式高次非球面的聚光镜和可移动式曝光方式,使得在增大有效辐照面积的同时提高了曝光均匀度,为液晶显示器,特别是液晶电视技术中的关键器件有源矩阵液晶显示器的研制提供了有效手段,它还适用于大规模集成电路和精密印刷电路板的制作及太阳紫外辐照模拟实验等方面。 | ||
申请公布号 | CN1059039A | 申请公布日期 | 1992.02.26 |
申请号 | CN90107038.6 | 申请日期 | 1990.08.15 |
申请人 | 中国科学院长春光学精密机械研究所 | 发明人 | 仲跻功 |
分类号 | G03F7/20 | 主分类号 | G03F7/20 |
代理机构 | 中国科学院长春专利事务所 | 代理人 | 顾业华 |
主权项 | 1、大面积紫外光刻(曝光)方法,其特征在于在曝光基片的整个范围内,使辐照不均匀度和曝光不均匀度成反向变化,实现二者的补偿,即采用偶数个光通道的光学积分器,其数目应与聚光镜形成的辐照分布相匹配,并且各并列光通道元素透镜口径不论为何种形状,其组合通光口径的形状,应与聚光镜形成的辐照分布的形状相同或类似。 | ||
地址 | 130022吉林省长春市斯大林大街112号 |