制备单晶的装置和方法

摘要

本发明涉及按照引上法制备单晶硅的装置，主要包括一个可用惰性气体清扫的接受器，容纳熔体的坩埚，自熔体提拉单晶的装置，和一个管锥状本体，该本体屏蔽生长的单晶并把熔体上方的接受室分成内外两部分区域，惰性气体被导入接受室内部区域在本体的低端和熔体表面之间朝向熔体流过，进入接受室外部区域，其中的本体至少有一个小孔，本发明还涉及按照引上法制备单晶硅的方法。

主权项

1.一种按照引上法制备单晶硅的装置，主要包括一个可用惰性气体清扫的接受器，一个容纳熔体的坩埚，自熔体提拉单晶的装置，和一个管锥状本体，该本体屏蔽生长的单晶并把熔体上方的接受室分成内外两部分区域，惰性气体被导入接受室内部区域在本体的低端和熔体表面之间朝向熔体流过，进入接受室外部区域，其中的本体至少有一个小孔，使惰性气体能够通过该小孔直接从接受室的内部区域流入外部区域。