高压截断半导体器件

摘要

本发明公开一种高压截断的半导体器件，它采用具有齐纳二极管的恒压电路，能防止不能被常规静电放电保护电路截断的几伏的不稳定供给电压施加于内部电路，而仅把稳定的供给电压施加于内部电路，因而能提高半导体器件的特性，并缩短形成内部电路的晶体管的沟道长度。

主权项

1、一种高压截断半导体器件，包括在电源端和半导体芯片内部电路间的电流通路上形成的静电放电保护电路，以当一个第一不稳定电压加到该静电放电保护电路时，防止该第一不稳定电压从该电源端传送至该内部电路，该半导体器件包括：恒压装置，形成于所述静电放电保护电路和内部电路间的电流通路上，以防止未被所述静电放电保护电路截断的第二不稳定电压送至内部电路，其中所述第二电压小于所述第一电压。