发明名称 P-TYPE FIELD-EFFECT SEMICONDUCTOR DEVICE, COMPLEMENTARY FIELD-EFFECT SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURE THEREOF
摘要
申请公布号 JPH08213559(A) 申请公布日期 1996.08.20
申请号 JP19950016594 申请日期 1995.02.03
申请人 FUJITSU LTD 发明人 HARADA NAOKI
分类号 H01L29/201;H01L21/337;H01L21/338;H01L27/095;H01L29/778;H01L29/808;H01L29/812;(IPC1-7):H01L27/095 主分类号 H01L29/201
代理机构 代理人
主权项
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