| 摘要 |
<p>Die Erfindung betrifft eine Schichtstruktur mit einer Silicid-Schicht, bei der diese auf einer siliciumhaltigen Oberfläche gebildet wird. Es ist dabei Aufgabe der Erfindung, eine solche Schichtstruktur zu realisieren, die einen Einsatz zur Herstellung von Bauelementen ermöglicht ohne die aus dem Stand der Technik dabei auftretenden Nachteile. Dazu soll wenigstens ein Teil der Silicid-Schicht gegenüber dem verbleibenden Teil der Silicid-Schicht in einer zur Schichtebene dieses Teils senkrechten Richtung versetzt angeordnet sein. Auf diese Weise lassen sich unterschiedliche elektronische Bauelemente mit einer solchen Schichtstruktur realisieren.</p> |
