| 发明名称 | 高压MOS控制功率半导体器件 | ||
| 摘要 | 在具有许多阴极单元的MOS控制功率半导体器件中，选择阴极单元面积在总器件面积中所占的比例，在圆形单元时，介于0.1％到10％之间；在条形单元时，介于0.4％到40％之间。这种方法可使小电感引起的振荡趋势减小。 | ||
| 申请公布号 | CN1128903A | 申请公布日期 | 1996.08.14 |
| 申请号 | CN95115075.8 | 申请日期 | 1995.08.07 |
| 申请人 | ABB管理有限公司 | 发明人 | F·鲍尔 |
| 分类号 | H01L29/739 | 主分类号 | H01L29/739 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 董巍;蔡掬昌 |
| 主权项 | 1.高压MOS控制的功率半导体器件(1)包括在半导体衬底(2)内介于一个阴极(3)和一个阳极(4)之间几个不同的掺杂层(7)和许多个进入阴极一侧借助MOS控制极(5)控制的阴极单元(6)，其特征在于，阴极单元(6)在圆形单元时占据总器件面积的比例介于0.1％到10％之间，在条形单元时介于0.4％到40％之间。 | ||
| 地址 | 瑞士巴登 | ||