发明名称 热处理装置
摘要 本发明系有关于藉加热于半导体晶圆 (wafer) 来对被处理体施行一定的热处理之热处理装置,设备有收容晶圆(wafer)的反应管;及设置在反应管周围, 用来加热于反应管内的发热体;及位于发热体周围,各以气密空间来隔离,以同心状设置的复数筒状热辐射构件;以及使这些空间减压的减压装置。这个热处理装置至少在使反应管内昇温时,以减压手法使发热体与内侧的热辐射构件,以及各热辐射构件间之空间减压。本发明系在这种情况下所作,其目的在加快反应管内之昇温速度,以之达到被处理体在节达处理温度之间,所受热量之减小,以提供可昇高总生产量(thruput)的热处理装置。依据本发明的第1观点,是为加热于被处理体来对被处理体施行所定的热处理之热处理装置,具备有:收容被处理体的反应管;及装设于反应管周围,用以加热反应管内部的发热体;及在前述发热体周围隔着气密空间所装设之热辐射构件;及将前述空间减压的减压手法;至少在使前述反应管内部昇温时,凭藉前述减压手法,提供使前述空间减压之处理装置。依据本发明的第2观点,是为以加热被处理体来对被处理体施行所定的热处理之热处理装置,具备有:收容被处理体的反应管;及装设于反应管周围,用以加热反应管内部的发热体;及装设于前述发热体周围,各以气密空间相隔呈多层复数的热辐射构件;及使前述空间减压的减压手法;至少在使前述反应管内部昇温时,由前述减压手法来提供使前述空间减压的处理装置。
申请公布号 TW283255 申请公布日期 1996.08.11
申请号 TW084103704 申请日期 1995.04.15
申请人 东京电子股份有限公司 发明人 森本保
分类号 H01L21/30;H01L21/324 主分类号 H01L21/30
代理机构 代理人 林志刚 台北巿南京东路二段一二五号七楼;林敏生 台北巿南京东路二段一二五号七楼伟成第一大楼
主权项 1. 一种热处理装置,系属于以加热被处理体来对被 处理 体实施预定的热处理的热处理装置,设置有: 收容被处理体之反应管;及 装设于反应管周围,加热前述反应管内所用的发热 体;及 位于前述发热体周围,以气密空间相隔开而设的热 辐射构 件;及 为前述空间减压的减压手法;及 至少在使前述反应管内昇温时,以前面所提之减压 手法来 为前述空间减压的处理装置。2. 如申请专利范围 第1项之热处理装置,其中更具有导入 气体于前述空间的气体导入手段。3. 如申请专利 范围第1项之热处理装置,其中前述反应管 、发热体及热辐射构件呈筒状,该等设备以同心状 设置。4. 如申请专利范围第1项之热处理装置,其 中前述热辐射 构件具有1-10mm之厚度。5. 如申请专利范围第1项之 热处理装置,其中前述热辐射 构件具有50%以上之反射率。6. 如申请专利范围第1 项之热处理装置,其中前述热辐射 构件系以铝材或钨材所制成。7. 如申请专利范围 第1项之热处理装置,其中前述减压手 法系将前述空间之压力减压至lmTorr以下之压力。8 . 一种热处理装置,系属于加热被处理体,来对被处 理 体施行一定的热处理之热处理装置,而设置有: 收容被处理体之反应管;及 装设于反应管周围用以为反应管内加热的发热体; 及 在前述发热体周围所设,各以气密的空间相隔的多 重复数 的热辐射构件;及 为前述空间减压之减压方法; 至少在使前述反应管内昇温时,以前述减压方法来 使前述 空间减压的处理装置。9. 如申请专利范围第8项之 热处理装置,其中具有重新为 前述空间导入气体之气体导入手段。10. 如申请专 利范围第8项之热处理装置,其中前述反应 管、发热体及热辐射构件呈筒状,该等设备以同心 状设置 。11. 如申请专利范围第8项之热处理装置,其中前 述热辐 射构件具有1-10mm之厚度。12. 如申请专利范围第8 项之热处理装置,其中前述热辐 射构件具有50%以上之反射率。13. 如申请专利范围 第8项之热处理装置,其中前述热辐 射构件系以铝材或钨材所制成。14. 如申请专利范 围第8项之热处理装置,其中前述减压 手法系将前述空间之压力减压至lmTorr以下之压力 。图示简单说明: 图1表示至今使用之热处理装置的断面图。 图2表示相关于本发明方式的热处理装置的断面图 。 图3表示将图2所示装置中之发热体放大之断面图 。 图4表示图2所示装置中发热体及辐射板之斜视图 。 图5表示本发明装置的发热体与辐射板产生热的辐 射作用 之说明用模式图。 图6说明本发明效果之模拟实验说明图。 图7模拟实验之发明例与比较例下,表示反应管昇 温之曲
地址 日本