| 主权项 |
1. 一种记忆体,其之组成如下: 铁电电容器,铁电电容器备有铁电材料构制成的绝 缘体, 其特色是零场电容,零场电容可以利用到达零场电 容所循 的充电路径加以控制; 写入电路,写入电路可作控制地在不同时间,将两 个不同 的电容状态写到铁电电容器;不同的电容状态,反 映不同 的储存数据値; 读取电路,读取电路可以读取铁电电容器的电容。 2. 根据申请专利范围第1项之记忆体,进一步地有: 第二铁电电容器,第二铁电电容器与铁电电容器并 联,备 有绝缘体,其绝缘体有着与铁电电容器铁电材料相 同的材 料特性。3. 根据申请专利范围第1项之记忆体,进 一步地有: 与铁电电容器并联的第二线性电容器。4. 根据申 请专利范围第1项之记忆体,进一步地有: 与铁电电容器并联的第二电容器; 另外,写入电路有一个用来将不同电容状态写到铁 电电容 器与第二电容器的电路装置。5. 根据申请专利范 围第2.3或4项之记忆体,其中,读取 电路有一个电路装置,此电路装置可以判定第一电 容器与 第二电容器何者有较高的电容。6. 根据申请专利 范围第2.3或4项之记忆体,其中,读取 电路有一个电路装置,此电路装置可以求出铁电电 容器的 电容与第二电容器的电容。7. 根据申请专利范围 第1或2项的记忆体,其中,铁电材 料的特色如下: 按第一极化方向施加第一施加电压而使其极化饱 和后的第 一零电容; 按第一极化方向施加第一施加电压而使其极化饱 和后再按 第一极化方向的相反方向施加第二施加电压而部 分去极化 后的第二零场电容。8. 根据申请专利范围第1.2.3 或4项的记忆体,其中, 读取电路有: 一个电路装置,此电路装置读取铁电电容器的电容 ,但不 改变铁电电容器的电荷状态,且无需为铁电电容器 施加直 流偏压电场。9. 根据申请专利范围第1.2或4项之记 忆体,其中,铁电 材料是一种合层式超点阵型铁电材料。10. 一种储 存与读取资料的方法,此种方法有下列步骤: 提供一种铁电电容器,此种铁电电容器备有铁电器 材构制 成的绝缘体,其特色是零场电容,零场电容可以利 用到达 零场电容所循的充电路径加以控制; 将第一电容状态与第二电容状态中的一者写到铁 电电容器 ;写第一电容状态的方法是按第一极化方向,施加 一个足 以使铁电电容器极化饱和的第一电压;写第二电容 状态的 方法是按第一极化方向,施加足以使铁电电容器极 化饱和 的第一电压,其后,再按第一极化方向相反的方向, 施加 第二电压,藉以获得铁电电容器的部分去饱和; 读取写入的铁电电容器电容状态。图示简单说明: 图1为本发明所用Y1铁电材料的电容—电压图。 图2为典型传统铁电材料的电容—电压图。 图3为使用一个铁电电容器的基本型记忆体的简图 。 图4为并联使用两个铁电电容器或并联使用一个铁 电电容 器及一个线性电容器的基本型记忆体的简图。 图5为串联使用两个铁电电容器的基本型记忆体的 简图。 |
