| 主权项 |
1. 电子成像装置用单成份非磁性墨粉显像剂,包含 : (a) 一显像粒子,其粒径分布符合下式: d@ss1/d@ss5@ss0=0.32-0.55 d5@ss0/d@ss9@ss0=0.50-0.70 d@ss5@ss0=5-15微米 其中,d1.d50与d90分别表示当该粒径粒子之体积或重 量 百分比占显像粒子总体积或重量的1%、50%及90%时 的墨粉 显像粒子之粒径;及 (b) 一表面处理剂,该表面处理剂可为疏水性二氧 化矽微 粒,其用量占墨粉显像剂总重量之0.1-1wt%。2. 依据 申请专利范围第1项所述之电子成像装置用单成份 非磁性墨粉显像剂,其中该显像粒子粒径分布符合 下式: d@ss1/d@ss5@ss0=0.38-0.49 d@ss5@ss0/d@ss9@ss0=0.58-0.62 d@ss5@ss0=9-11.6微米3. 依据申请专利范围第2项所述 之电子成像装置用单成份 非磁性墨粉显像剂,其中该显像粒子粒径分布符合 下式: d@ss1/d@ss5@ss0=0.38 d@ss5@ss0/d@ss9@ss0=0.58 d@ss5@ss0=11.6微米4. 依据申请专利范围第1项所述之 电子成像装置用单成份 非磁性墨粉显像剂,其中该显像粒子粒径分布符合 下式: d@ss1/d@ss5@ss0=0.49 d@ss5@ss0/d@ss9@ss0=0.62 d@ss5@ss0=9微米5. 依据申请专利范围第1项所述之电 子成像装置用单成份 非磁性墨粉显像剂,其中该显像粒子粒径分布符合 下式: d@ss1/d@ss5@ss0=0.43 d@ss5@ss0/d@ss9@ss0=0.59 d@ss5@ss0=10.4微米6. 依据申请专利范围第1项所述之 电子成像装置用单成份 非磁性墨粉显像剂,其中该显像剂之摩擦带电特性 至少为 15微库伦/公克。7. 依据申请专利范围第1项所述之 电子成像装置用单成份 非磁性墨粉显像剂,其中该显像剂之假比重至少为 0.36且 压缩比値小于0.24。8. 依据申请专利范围第1项所 述之电子成像装置用单成份 非磁性墨粉显像剂,更包含一占墨粉显像剂总重量 之2- 4wt%的电荷控制剂。9. 依据申请专利范围第8项所 述之电子成像装置用单成份 非磁性墨粉显像剂,其中该电荷控制剂为如下式之 铬错合 化物: |
