| 摘要 |
<P>Amplificateur comportant un premier étage formé d'au moins une paire différentielle de transistors bipolaires (T1, T2).<BR/>Selon l'invention, l'amplificateur comporte encore un deuxième étage avec une autre paire différentielle de transistors dont les émetteurs réunis sont alimentés par le courant collecteur de l'un (T2) des transistors du premier étage. Un transistor (T3) de la paire différentielle du deuxième étage a son collecteur qui débite sur une résistance de charge principale (RL) et sa base qui est couplée au collecteur de l'autre (T1) transistor du premier étage, lequel débite sur une résistance de charge annexe (Rb). La base de l'autre transistor (T4) de la paire différentielle du deuxième étage peut être polarisée à tension fixe (Vref2) ou encore à tension variable, de phase appropriée.<BR/>Application à l'amplification de signaux à hautes fréquences, et notamment à un oscillateur large bande.</P>
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