Quantenstruktur-Laser mit einer InGaAsP-Begrenzungsschicht und Verfahren zur Herstellung des Lasers.
摘要
申请公布号
DE69115086(T2)
申请公布日期
1996.08.08
申请号
DE19916015086T
申请日期
1991.03.05
申请人
AT & T CORP., NEW YORK, N.Y., US
发明人
LOGAN, RALPH ANDRE, MORRISTOWN, NEW JERSEY 07960, US;TANBUN-EK, TAWEE, SUMMIT, NEW JERSEY 07901, US;TEMKIN, HENRYK, BERKELEY HEIGHTS, NEW JERSEY 07922, US
