| 主权项 |
1.一种半导体装置之制法,其特征是为包含有:以掺 杂有 不纯物之Al,In和As作为构成元件,用以形成AlInAs构 成 元件层之制程;对上述之AlInAs构成元件层进行热处 理, 用来使氟混入到该AlInAs构成元件层之制程;和在进 行上 述之热处理之后,经由进行再度热处理,用来除去 上述 AlInAs构成元件层中之氟的制程者。2.如申请专利 范围第1项之半导体装置之制法,其中,用 以除去上述AlInAs构成元件层中之氟的热处理制程, 是在 真空中或供给氮气和氢气之任一方或双方的环境 中进行者 。3.如申请专利范围第1项之半导体装置之制法,其 中,上 述半导体装置为高电子移动率电晶体;掺杂有上述 不纯物 之AlInAs构成元件层是上述高电子移动率电晶体之 载子供 给层。4.一种半导体装置之制法,其特征是具备:在 半绝缘性基 板上形成未掺杂通道层之制程;在该通道层上形成 以掺杂 有不纯物之Al,In和As作为构成元件之由AlInAs构成元 件 层构成之载子供给层之制程;在该载子供给层上形 成欧姆 层之制程;在该欧姆层上形成源极电极和吸极电极 之制程 ;对上述源极电极和吸极电极所包夹之区域之上述 欧姆层 进行蚀刻用以形成开口部,藉以使上述之载子供给 层露出 之制程;经由对上述之载子供给层进行热处理,用 来使氟 混入到该载子供给层之制程;在进行上述之热处理 之后, 经由进行再度热处理,用来除去上述载子供给层中 之氟之 制程;和在上述开口部内露出之上述载子供给层上 形成凹 陷沟,然后在该凹陷构之底面上形成闸极电极之制 程者。5.一种半导体装置,其特征是具有AlInAs构成 元件层,以 掺杂有不纯物之Al,In和As作为构成元件,经由对 AlInAs 构成元件层施加热处理使氟混入到该层,然后对该 层进行 再度热处理用以除去上述混入之氟者。图式简单 说明:第 一图表示用以说明依照本发明之第1实施例之半导 体装置 之制法的半导体层合构造。第二图用以说明依照 本发明之 第1实施例之半导体装置之制法。第三图用以说明 依照本 发明之第2实施例之半导体装置之制法。第四图是 剖面工 程图,用来表示依照本发明之第3实施例之HEMT之制 法。 第五图表示习知之半导体装置之一实例之HEMT之构 造(第 五图(a)),和习知之HEMT之由于热处理而产生之电特 性之 劣化。第六图表示半导体层合构造,用以说明习知 之半导 体装置之制法中之由于热处理制程所产生之半导 体装置之 电特性之劣化。第七图表示薄片载子浓度和热处 理温度之 关系,用以说明习知之半导体装置之制法中之由于 热处理 制程所产生之半导体装置之电特性之劣化。第八 图用来说 明习知之半导体装置之制法中之由于热处理制程 所产生之 半导体装置之电特性之劣化。第九图表示氟型样, 用来说 明习知之半导体装置之制法中之由于热处理制程 所产生之 半导体装置之电特性之劣化。第十图用来说明习 知之半导 体装置之制法中之由于200℃之热处理制程所产生 之半导 体装置之电特性之劣化。第十一图表示氟型样,用 来说明 依照本发明之第1实施例之半导体装置之制法。第 十二图 表示氟浓度之变化量和载子浓度之变化量之关系, 用来说 明依照本发明之第1实施例之半导体装置之制法。 |
