半导体器件及其制造方法

摘要

本发明揭示一种半导体器件，该器件的构成包括：形成集成电路的硅基片1，在基片1上形成的第1绝缘膜6，由在第1绝缘膜6上形成的下电极7、有高介电常数的电介质膜8和上电极9组成的电容，覆盖电容且具有各自达到下电极7和上电极9的接触孔13的第2绝缘膜11，在接触孔13的底部与下电极7和上电极9连结的扩散阻挡层17和在其上形成的布线层。在所述接触孔13底部的扩散阻挡层17中形成由粒状晶组成的层状区域。

主权项

1.一种半导体器件，其特征在于，该器件的构成包括：形成集成电路的基片，在所述的基片上形成第1绝缘膜，由在所述的第1绝缘膜上形成下电极、在该下电极上形成有高介电常数的电介质膜和在该电介质膜上形成的上电极组成的电容，覆盖所述电容且具有各自达到所述下电极和所述上电极的接触孔的第2绝缘膜，至少覆盖所述接触孔的内壁且在所述接触孔的底部与所述下电极和所述上电极连结的扩散阻挡层和在所述扩散阻挡层上形成的布线层，处于所述接触孔底部的所述扩散阻挡层中形成由粒状晶组成的层状区域。