| 主权项 |
1.一种动态随机存取记忆体电容器下电极的制造方法,适用于一基底上;一介电层位于该基底上;一节点接触窗开口位于该介电层中;该方法至少包括:形成一掺杂多晶矽层于该基底上;定义该掺杂多晶矽层,在该节点接触窗开口的上方形成一下电极;以及在该下电极的表面植入一离子。2.如申请专利范围第1项所述之动态随机存取记忆体电容器下电极的制造方法,其中形成该掺杂多晶矽层的方法包括低压化学气相沈积法。3.如申请专利范围第1项所述之动态随机存取记忆体电容器下电极的制造方法,其中该离子包括以150-200KeV的植入能量所植入约31014 atom/cm2浓度的氩。4.如申请专利范围第1项所述之动态随机存取记忆体电容器下电极的制造方法,其中该离子包括以至少250-300KeV的植入能量所植入约51014 atom/cm2浓度的磷。5.如申请专利范围第1项所述之动态随机存取记忆体电容器下电极的制造方法,其中该离子包括以至少180-230KeV的植入能量所植入约1014 atom/cm2浓度的砷。6.如申请专利范围第1项所述之动态随机存取记忆体电容器下电极的制造方法,其中该离子包括氮。7.如申请专利范围第1项所述之动态随机存取记忆体电容器下电极的制造方法,其中该离子包括锑。8.如申请专利范围第1项所述之动态随机存取记忆体电容器下电极的制造方法,其中该方法更包括:进行一播晶种步骤;以及进行一高真空回火步骤,在该下电极的表面形成半球形矽晶粒。9.如申请专利范围第1项所述之动态随机存取记忆体电容器下电极的制造方法,其中该高真空回火步骤系在550-570℃之下进行。图式简单说明:第一图A-第一图C是习知之DRAM电容器下电极的制造流程剖面图;以及第二图A-第二图D是依据本发明之一较佳实施例的一种DRAM电容器下电极的制造流程剖面图。 |
