| 主权项 |
1.一种电浆处理装置之控制方法,系于处理室内使第1及第2电极呈对向配置,对上述第1电极介由第1匹配器施加具第1频率之电浆生成用高频电力之同时,对上述第2电极介由第2匹配器施加具较上述第1频率低之第2频率之偏压用高频电力,俾于上述处理室内产生电浆,据以对载置于上述第2电极之被处理体施予特定之电浆处理的电浆处理装置之控制方法;其特征在于系由:对上述第1电极施加稳定电力之高频电力,对上述第2电极施加至少可与上述偏压用高频电力匹配之高频电力的制程;及上述偏压用高频电力实际上匹配后,使施加于上述第2电极之高频电力上昇至稳定电力的制程所构成。2.如申请专利范围第1项之电浆处理装置之控制方法,其中上述匹配可能之电力,系为对上述被处理体之蚀刻末被进行程度之电力。3.如申请专利范围第1项之电浆处理装置之控制方法,其中上述匹配可能之电力,系为稳定电力之实质之3-10%之电力。4.一种电浆处理装置之控制方法,系于处理室内使第1及第2电极呈对向配置,对上述第1电极介由第1匹配器施加具第1频率之电浆生成用高频电力之同时,对上述第2电极介由第2匹配器施加具较上述第1频率低之第2频率之偏压用高频电力,俾于上述处理室内产生电浆,据以对载置于上述第2电极之被处理体施予特定之电浆处理的电浆处理装置之控制方法;其特征在于系由:对上述第1电极施加稳定电力之高频电力,对上述第2电极施加至少可与上述偏压用高频电力匹配之高频电力的制程;及特定时间经过后,使施加于上述第2电极之高频电力上昇至稳定电力的制程所构成。5.如申请专利范围第4项之电浆处理装置之控制方法,其中上述匹配可能之电力,系为对上述被处理体之蚀刻未被进行程度之电力。6.如申请专利范围第4项之电浆处理装置之控制方法,其中上述匹配可能之电力,系为稳定电力之实质之3-10%之电力。7.一种电浆处理装置之控制方法,系于处理室内使第1及第2电极呈对向配置,对上述第1电极介由第1匹配器施加具第1频率之电浆生成用高频电力之同时,对上述第2电极介由第2匹配器施加具较上述第1频率低之第2频率之偏压用高频电力,俾于上述处理室内产生电浆,据以对载置于上述第2电极之被处理体施予特定之电浆处理的电浆处理装置之控制方法;其特征在于系由:对上述第1电极施加至少于处理室内可产生电浆之高频电力,对上述第2电极施加至少可与上述偏压用高频电力匹配之高频电力的制程;及至少在上述偏压用高频电力实质匹配后,使施加于上述第1电极及第2电极之高频电力上昇至稳定电力的制程所构成。8.如申请专利范围第7项之电浆处理装置之控制方法,其中上述匹配可能之电力,系为对上述被处理体之蚀刻未被进行程度之电力。9.如申请专利范围第7项之电浆处理装置之控制方法,其中上述匹配可能之电力,系为稳定电力之实质之3-10%之电力。10.如申请专利范围第7项之电浆处理装置之控制方法,其中可产生电浆之电力,系为稳定电力之50-70%之电力。11.如申请专利范围第7项之电浆处理装置之控制方法,其中使施加于上述第1电极及第2电极之高频电力上昇至稳定电力之制程,系将施加于上述第1电极之电力设定为稳定电力后,使施加于上述第2电极之电力设定为稳定电力。12.一种电浆处理装置之控制方法,系于处理室内使第1及第2电极呈对向配置,对上述第1电极介由第1匹配器施加具第1频率之电浆生成用高频电力之同时,对上述第2电极介由第2匹配器施加具较上述第1频率低之第2频率之偏压用高频电力,俾于上述处理室内产生电浆,据以对载置于上述第2电极之被处理体施予特定之电浆处理的电浆处理装置之控制方法;其特征在于系由:对上述第1电极施加至少于处理室内可产生电浆之高频电力,对上述第2电极施加至少可与上述偏压用高频电力匹配之高频电力的制程;及特定时间经过后,使施加于上述第1电极及第2电极之高频电力上昇至稳定电力的制程。13.如申请专利范围第12项之电浆处理装置之控制方法,其中上述匹配可能之电力,系为对上述被处理体之蚀刻未被进行程度之电力。14.如申请专利范围第12项之电浆处理装置之控制方法,其中上述匹配可能之电力,系为稳定电力之实质之3-10%之电力。15.如申请专利范围第12项之电浆处理装置之控制方法,其中可产生电浆之电力,系为稳定电力之50-70%之电力。16.如申请专利范围第12项之电浆处理装置之控制方法,其中使施加于上述第1电极及第2电极之高频电力上昇至稳定电力之制程,系将施加于上述第1电极之电力设定为稳定电力后,使施加于上述第2电极之电力设定为稳定电力。图式简单说明:第一图:本发明适用之蚀刻装置之概略断面图。第二图:第一图之蚀刻装置适用之蚀刻装置之控制方法之概略说明图。第三图:第一图之蚀刻装置适用之另一蚀刻装置之控制方法之概略说明图。第四图:第一图之蚀刻装置适用之另一蚀刻装置之控制方法之概略说明图。第五图:习知之蚀刻装置适用之蚀刻装置之控制方法之概略说明图。 |
