发明名称 具散热结构之半导体装置
摘要 一种具散热结构之半导体装置,主要包括具有第一表面与第二表面之晶片;一侧与该晶片之第一表面以可导电方式相连之多数导脚;具有第一表面与第二表面之晶片座,该晶片之第二表面系附着于该晶片座之第一表面,且该晶片座在该晶片附着区域内形成有总投影面积不大于该晶片之投影面积之至少一个散热通孔;以及以使该晶片座之第二表面外露之方式将该晶片、晶片座、以及该等导脚的一部份加以包覆之封装胶体,俾令该晶片之第二表面的一部份得经由该散热通孔直接外露于大气接触,并得与外加之放热片直接接连,以有效达成散热功能。
申请公布号 TW396559 申请公布日期 2000.07.01
申请号 TW087112087 申请日期 1998.07.24
申请人 矽品精密工业股份有限公司 发明人 黄建屏;赖正渊
分类号 H01L23/34 主分类号 H01L23/34
代理机构 代理人 陈昭诚 台北巿武昌街一段六十四号八楼
主权项 1.一种具散热结构之半导体装置,包括:具有第一表面与第二表面之晶片;内侧与该晶片之第一表面以可导电方式相连之多数导脚;具有一表面与第二表面之晶片座,该晶片之第二表面系附着于该晶片座之第一表面上,且该晶片座在该晶片附着区域内形成有至少一个散热通孔,以及以令该晶片座之第二表面外露之方式将该晶片、晶片座、以及该等导脚之内侧部份加以包覆之封装胶体。2.如申请专利范围第1项之具散热结构之半导体装置,其中该晶片之第一表面系藉由焊线之方式与该等导脚之内侧相连接。3.如申请专利范围第1项之具散热结构之半导体装置,其中晶片系藉由黏性材料附着于该晶片座上。4.如申请专利范围第1项之具散热结构之半体装置,其中该晶片系藉由可导热之黏性材料附着于该晶片座上。5.如申请专利范围第1.3或4项之具散热结构之半体装置,其中该晶片系藉由银胶附着于该晶片座上。6.如申请专利范围第1项之具散热结构之半导体装置,其中该散热通孔之总投影面积不大于该晶片之投影面积。7.如申请专利范围第6项之具散热结构之半导体装置,其中该散热通孔之形状系选由正方形、圆形、矩形、椭圆形及多角形等所组成之组群之一者。8.如申请专利范围第1项之具散热结构之半导体装置,其中该晶片座得设置成与该等导脚之内侧间具有高度差,俾使该晶片座之第二表面得在封装制程完成后外露于外界环境中。9.一种具散热结构之半导体装置,包括:具有第一表面与第二表面之晶片;内侧与该晶片之第一表面以焊线方式相连之多数导脚;该晶片之第二表面系藉银胶附着于该晶片座之该晶片座在该晶片附着区域内形成有至少一个总投影面积不大于该晶片之投影面之散热通孔,且该晶片座得设置成与该等导脚之内侧间具有高度差,俾使该晶片座之第二表面得在封装制程完成后外露于外界环境中,以及以令该晶片座之第二表面外露之方式将该晶片、晶片座、以及该等导脚之内侧部份加以包覆之封装胶体。10.一种用于半导组装置之晶片座,该晶片座在晶片附着区域内形成有至少一个总投影面积不大于晶片之投影面积之散热通孔,使当封装制程完成后,与该晶片座附着之晶片表面可藉由该散热通孔外露于外界环境中。11.如申请专利范围第1或9项之具散热结构之半导体装置,其中,该散热通孔中复可置入一散热片,使该散热片2上表面得与晶片之第二表面直接接连。12.如申请专利范围第11项之具散热结构之半导体装置,其中,该散热片之上表面与晶片之第二表面间可涂覆有导热胶。图式简单说明:第一图为本发明第一实施例之剖面示意图;第二图为本发明第二实施例之剖面示意图;第三图为第一图及第二图所使用之晶片座之上视图;第四图(A)至第四图(F)为本发明实施例所使用之晶片座之其他型式的上视图;第五图为本发明第三实施例之剖面示意图;第六图为习知之半导体装置之剖面示意图;以及第七图为另一习知之半导体装之剖面示意图。
地址 台中县潭子乡大丰路三段一二三号